[實用新型]一種大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720170975.8
• 申請日: 2017-02-24
• 公開（公告）號: CN206685405U
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設計）人: 何苗;楊思攀;熊德平;王成民
• 申請（專利權）人: 廣東工業(yè)大學
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，包括LED芯片、設置在LED芯片處的透光結構以及微型PCB基板散熱結構；所述透光結構位于LED芯片的上方，基板散熱結構位于下方；

所述透光結構包括矽膠層、封裝膠層、透鏡和增透膜、以及用于增強聚光效應的反射杯；所述LED芯片固定在反射杯內(nèi)；所述矽膠層、封裝膠層先后覆蓋在LED芯片的多個表面上，所述矽膠層、封裝膠層、透鏡和增透膜由內(nèi)而外依次覆蓋在LED芯片上；

所述微型PCB基板散熱結構包括PCB基板、設置在PCB基板上的第一銅層、以及導電導熱膠層；所述第一銅層覆蓋在PCB基板的上表面，所述導電導熱膠層固定在第一銅層上，與第一銅層電氣連接；所述LED芯片底部設有兩個用于電氣連接的焊盤，所述焊盤與導電導熱膠層連接；

所述PCB基板包括上表層、中間層和下表層，所述上表層中部設有一凹槽，所述凹槽內(nèi)由下往上依次設有第二銅層、SiC層和第二導熱膠層；所述第二導熱膠層的中部向上凸起形成凸臺，所述凸臺的頂部與LED芯片底部接觸，兩側與焊盤接觸；所述中間層為PCB基板的絕緣介電層，所述下表層為鋁層。

2.根據(jù)權利要求1所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，還包括起固定和保護作用的外封裝支架，所述外封裝支架的一端固定在微型PCB基板上，另一端向上延伸將LED芯片及透光結構包圍。

3.根據(jù)權利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述反射杯的外側還設有用于吸收光線的光吸收層。

4.根據(jù)權利要求3所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述外封裝支架與光吸收層之間設有第一導熱膠層。

5.根據(jù)權利要求1所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述PCB基板上還設有用于快速散熱的散熱孔，所述散熱孔從PCB基板的上表層貫穿至下表層，所述散熱孔內(nèi)填充銅。

6.根據(jù)權利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述封裝膠層、透鏡和增透膜的頂部均為向上凸起結構；所述增透膜的高度大于反射杯和外封裝支架的高度。

7.根據(jù)權利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述封裝膠層、透鏡和增透膜的頂部均為向上凸起結構；所述反射杯與外封裝支架向上延伸且高于增透膜。

8.根據(jù)權利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述封裝膠層和透鏡頂部均為向上凸起結構；所述反射杯與外封裝支架向上延伸，且與增透膜齊平，所述增透膜的頂部水平。

9.根據(jù)權利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述封裝膠層、透鏡和增透膜的頂部均為向上凸起結構；所述反射杯與外封裝支架向上延伸，且高于增透膜，反射杯內(nèi)形成凹腔，所述凹腔填充折射匹配材料。

10.根據(jù)權利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒裝結構，其特征在于，所述封裝膠層的頂部為向下凹陷結構，所述透鏡和增透膜的頂部均為向上凸起結構；所述反射杯與外封裝支架向上延伸，且高于增透膜。