[實用新型]一種pGaNiGaNnBN中子探測器

有效

• 申請號: 201720159535.2
• 申請日: 2017-02-22
• 公開（公告）號: CN206650087U
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 朱志甫;湯彬;鄒繼軍;彭新村
• 申請（專利權）人: 東華理工大學
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304;H01L31/117;H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 江西省專利事務所36100
• 代理人: 胡里程

1.一種p-GaN/i-GaN/n-BN中子探測器，其特征在于：該探測器包括Al₂O₃襯底層、n-BN中子轉換層兼電荷收集層、i-GaN電荷產生層、p-GaN電荷收集層。

2.根據權利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探測器，其特征在于：所述Al₂O₃襯底層，厚度為150～200μm，晶向為c軸0001面。

3.根據權利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探測器，其特征在于：所述中子轉換層兼電荷收集層n-BN，其中BN中的B為B的同位素¹⁰B,其厚度為5～50μm，摻雜元素為S，摻雜濃度為(5～8)×10¹⁸cm^-3。

4.根據權利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探測器，其特征在于：所述電荷產生層i-GaN ，其厚度為5～20μm，為非故意摻雜GaN材料。

5.根據權利要求1所述的p-GaN/i-GaN/n-BN中子探測器，其特征在于：所述p-GaN電荷收集層 ，其厚度為100～500nm，摻雜元素為Mg，摻雜濃度為(1～3)×10¹⁹cm^-3。