[實(shí)用新型]多功能真空離子鍍膜機(jī)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720158499.8
• 申請(qǐng)日: 2017-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN206494965U
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張笑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海仟納真空鍍膜科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/32
• 分類號(hào): C23C14/32;C23C14/35
• 代理公司: 北京君泊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11496
• 代理人: 王程遠(yuǎn)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種鍍膜機(jī)，特別是涉及一種多功能真空離子鍍膜機(jī)。

背景技術(shù)

隨著人們環(huán)保意識(shí)的提高，PVD這種優(yōu)質(zhì)環(huán)保鍍膜技術(shù)越來越收到重視，其中的各種鍍膜技術(shù)都有得到廣泛的應(yīng)用；PVD是通常稱為物理氣象沉積。PVD是指由于物理過程而發(fā)生的固體物質(zhì)的沉積。PVD的方法也就是經(jīng)由直接的傳質(zhì)將所需體沉積的物理材料傳遞至基體表面；等離子電弧(俗稱電弧、多弧)沉積是指在一定的真空條件下，在靶材表面(所需要沉積的材料)產(chǎn)生弧光放電，從而引起靶材的物態(tài)變化，同時(shí)噴射出靶材原子、離子、熔融顆粒；優(yōu)點(diǎn)：沉積離子的蒸發(fā)速率高、濺射的能量高；缺點(diǎn)：膜層較為粗糙；在制備金屬碳化物涂層，由于靶材表面中毒，弧光不穩(wěn)，甚至滅弧；濺射沉積是指在一定的真空條件下在靶材表面產(chǎn)生輝光放電，同時(shí)產(chǎn)生高能離子或中性原子來碰撞靶材，通過動(dòng)能的傳遞導(dǎo)致某些物料從靶材表面濺射出來；優(yōu)點(diǎn)：沉積的顆粒主要以原子為主，沉積的涂層較光滑；缺點(diǎn)：結(jié)合牢度較電弧差；氣體離子源的應(yīng)用也越來越收到較多的關(guān)注；氣體離子源具有方向性，在其表面產(chǎn)生高密度的氣體的等離子體；可以作為離子轟擊工件清洗使用；也可以涂層沉積源來使用，例如可以用來制作DLC涂層；或者作為反應(yīng)氣體的離化源，作輔助沉積使用。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種多功能真空離子鍍膜機(jī)，其通過脈沖偏壓電源產(chǎn)生離子轟擊實(shí)現(xiàn)工件的鍍膜加工，可以制備純金屬膜、合金膜和反應(yīng)膜層，應(yīng)用的鍍膜產(chǎn)品類型豐富，膜層附著均勻且附著效果好。

本實(shí)用新型是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的：多功能真空離子鍍膜機(jī)，其包括真空室、電解傳感器、導(dǎo)電工件轉(zhuǎn)架、脈沖偏壓電源、等離子電弧蒸發(fā)源、電弧電源、中頻濺射源、濺射靶、濺射法蘭、第一中頻磁控濺射接口、第二中頻磁控濺射接口、中頻磁控濺射源、中頻電源、氣體離子源、滅弧檢測器、零電位環(huán)，真空室固定在零電位環(huán)內(nèi)，真空室上端固定有電解傳感器，真空室下端固定有滅弧檢測器，真空室表面固定有第一中頻磁控濺射接口、第二中頻磁控濺射接口、導(dǎo)電工件轉(zhuǎn)架，中頻磁控濺射源一端與第一中頻磁控濺射接口相連，中頻磁控濺射源另一端與第二中頻磁控濺射接口相連，導(dǎo)電工件轉(zhuǎn)架上固定有中頻濺射源，等離子電弧蒸發(fā)源陽極與零電位環(huán)相連，等離子電弧蒸發(fā)源陰極與導(dǎo)電工件轉(zhuǎn)架相連，電弧電源陽極與零電位環(huán)相連，電弧電源陰極連接至真空室，脈沖偏壓電源陽極連接至真空室表面，脈沖偏壓電源陰極與導(dǎo)電工件轉(zhuǎn)架相連，濺射靶固定在真空室內(nèi)部，濺射靶上固定有濺射法蘭、八個(gè)中頻電源、兩個(gè)氣體離子源。

優(yōu)選地，所述第一中頻磁控濺射接口為陽極中頻磁控濺射接口，第二中頻磁控濺射接口為陰極中頻磁控濺射接口，從中頻磁控濺射源濺射的中頻濺射的正離子從第一中頻磁控濺射接口進(jìn)入真空室，真空室內(nèi)的負(fù)離子從第二中頻磁控濺射接口回到中頻磁控濺射源中。

優(yōu)選地，所述濺射法蘭旋接在濺射靶上，通過轉(zhuǎn)動(dòng)濺射法蘭調(diào)節(jié)濺射靶的濺射角度。

優(yōu)選地，所述真空室上下兩端分別設(shè)有一個(gè)連接筋，連接筋為導(dǎo)體材料制成。

優(yōu)選地，所述八個(gè)中頻電源依次排布在濺射靶表面且相鄰兩個(gè)中頻電源的間距相等。

本實(shí)用新型的積極進(jìn)步效果在于：本實(shí)用新型通過脈沖偏壓電源產(chǎn)生離子轟擊實(shí)現(xiàn)工件的鍍膜加工，可以制備純金屬膜、合金膜和反應(yīng)膜層，應(yīng)用的鍍膜產(chǎn)品類型豐富，膜層附著均勻且附著效果好。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型多功能真空離子鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖給出本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。