[實(shí)用新型]一種低熱阻大功率貼片橋

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720148152.5
• 申請(qǐng)日: 2017-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN206834171U
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱志述;譚志偉;周杰;梁魯川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂山無線電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/49
• 分類號(hào): H01L23/49;H01L23/31;H01L25/07
• 代理公司: 四川力久律師事務(wù)所51221
• 代理人: 熊曉果,王蕓

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，特別是一種低熱阻大功率貼片橋。

背景技術(shù)

現(xiàn)有整流橋產(chǎn)品采用插件設(shè)計(jì)，難以使用SMT設(shè)備自動(dòng)上板，需人工插件，廠家使用人工成本高；同時(shí)插件設(shè)計(jì)安裝高度高，無法用在如新型超薄超小手機(jī)充電器等領(lǐng)域。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種采用貼片設(shè)計(jì)、無需人工插件的低熱阻大功率貼片整流橋。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：

一種低熱阻大功率貼片整流橋，包括4顆GPP芯片、所述GPP芯片正極端連接上框架，負(fù)極端連接下框架，所述上框架、下框架以及其間的所述GPP芯片包覆于塑封體內(nèi)，直流正極、直流負(fù)極、交流正極和交流負(fù)極4只引腳伸出所述塑封體，所述引腳為平腳貼片設(shè)計(jì)，從所述塑封體下部側(cè)面水平伸出，其厚度不超過所述塑封體厚度，所述引腳的焊接面與所述塑封體在同一水平面。

進(jìn)一步地，所述整流橋整體厚度介于1.20mm～1.60mm。

進(jìn)一步地，所述引腳寬度介于0.90mm～1.10mm。

進(jìn)一步地，所述引腳厚度介于0.15mm～0.25mm。

進(jìn)一步地，平面形態(tài)呈矩形，短邊長(zhǎng)介于6.35mm～6.85mm，長(zhǎng)邊長(zhǎng)介于7.05～7.55mm。

進(jìn)一步地，所述塑封體選用壓塑環(huán)氧樹脂，其成分主要為環(huán)氧樹脂和二氧化硅，對(duì)比傳統(tǒng)澆灌工藝，具有更好的散熱性。壓塑環(huán)氧樹脂結(jié)合底部大面積焊盤設(shè)計(jì)進(jìn)一步改進(jìn)散熱，獲得更低的熱阻，可承受更大功率。

本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型貼片橋引腳采用平腳貼片設(shè)計(jì)，其從所述塑封體下部側(cè)面水平伸出，引腳焊接面與塑封體在同一水平面，使得貼片橋具有更優(yōu)的超薄外形，便于貼片封裝，實(shí)現(xiàn)SMT作業(yè)，替代人工插件，減少人工成本；同時(shí)，降低了產(chǎn)品安裝高度，滿足相關(guān)產(chǎn)品超薄、超小發(fā)展趨勢(shì)要求。此外，本實(shí)用新型提供的貼片橋具有散熱好、低熱阻的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于同樣的器件大小，本實(shí)用新型提供的貼片橋可承受更大功率。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1貼片橋剖視圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1貼片橋主視圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例1貼片橋側(cè)視圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例1貼片橋俯視圖；

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例1貼片橋仰視圖；

圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例1貼片橋上框架結(jié)構(gòu)圖；

圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例1貼片橋下框架結(jié)構(gòu)圖；

圖中標(biāo)記：101-上框架，102-下框架，2-GPP芯片，3-塑封體，4-焊料，5-引腳電鍍層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例1

實(shí)施例1提供一種1A～3A低熱阻大功率貼片整流橋，如圖1所示，包括上框架101、下框架102、4顆GPP芯片(60～84mil)2、塑封體3、焊料4和引腳電鍍層5。所述GPP芯片的P結(jié)、N結(jié)分別通過焊料4連接上框架101和下框架102。所述GPP芯片2、焊料4、上框架101以及下框架102連接在一起，且包覆于所述塑封體3內(nèi),連接體另一側(cè)水平伸出所述塑封體3，且引腳厚度不超過所述塑封體3厚度，并電鍍上引腳電鍍層5。

所述引腳為平腳，所述引腳的焊接面與所述塑封體在同一水平面。所述貼片橋使用SMT自動(dòng)安裝于PCB板表面，通過回流焊焊接上板，無需插孔焊接。

如圖2所示，為所述貼片整流橋整體主視圖。所述貼片整流橋具有超小超薄封裝外形。

如圖3所示，所述貼片橋整體厚度(A)介于1.20mm～1.60mm。所述引腳厚度(C)介于0.15mm～0.25mm。

如圖4、5所示，所述貼片橋平面形態(tài)呈矩形，短邊長(zhǎng)(D)介于6.35mm～6.85mm，長(zhǎng)邊長(zhǎng)(E)介于7.05～7.55mm。

圖6-7依次為所述上框架、下框架結(jié)構(gòu)平面圖。

所述塑封體3為壓塑環(huán)氧樹脂。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。