[實(shí)用新型]一種封帽對中比對管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720117148.2
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN206410661U
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)付安;楊華
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢燦光光電有限公司
• 主分類號: G01B5/252
• 分類號: G01B5/252
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)海心聯(lián)合專利代理事務(wù)所(普通合伙)44295
• 代理人: 蔡國,王洪娟

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光電二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封帽對中比對管。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的光電二極管在封裝封帽時(shí)，需要保證透鏡帽和芯片同心±30um內(nèi)，但是，目前的檢測工具結(jié)構(gòu)復(fù)雜、使用繁瑣且效率低，不適合大批量的抽檢。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型主要是解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的技術(shù)問題，從而提供一種結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、適合的大批量的抽檢的封帽對中比對管。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的：

本實(shí)用新型提供的封帽對中比對管，其包括比對管本體，所述比對管本體上自外向內(nèi)依次開設(shè)有相互同心的第一比對孔和第二比對孔，所述第一比對孔的內(nèi)表面與光電二極管的底座外圓面相匹配，所述光電二極管的底座上設(shè)有芯片，所述芯片的出光面與所述底座相互同心，且所述芯片的外部還套設(shè)有透鏡帽，所述透鏡帽的外圓面與所述第二比對孔相匹配。

進(jìn)一步地，所述第一比對孔的深度等于所述底座的厚度。

進(jìn)一步地，所述第二比對孔的深度大于所述透鏡帽的高度。

進(jìn)一步地，所述比對管本體采用透明材質(zhì)制作而成。

本實(shí)用新型的有益效果在于：通過在比對管本體上自外向內(nèi)依次開設(shè)相互同心的第一比對孔和第二比對孔，利用第一比對孔和第二比對孔對光電二極管的底座和透鏡帽的同心度進(jìn)行檢測，而芯片的出光面與底座的相互同心，從而可以換算出透鏡帽和芯片的同心度，其不僅結(jié)構(gòu)簡單、使用方便而且能適合的大批量的抽檢。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型的封帽對中比對管的使用狀態(tài)圖；

圖2是本實(shí)用新型的封帽對中比對管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

參閱圖1-2所示，本實(shí)用新型的封帽對中比對管，其包括比對管本體1，比對管本體1上自外向內(nèi)依次開設(shè)有相互同心的第一比對孔2和第二比對孔3，第一比對孔2的內(nèi)表面與光電二極管4的底座5外圓面相匹配，光電二極管4的底座5上設(shè)有芯片6，芯片6的出光面與底座5相互同心，且芯片6的外部還套設(shè)有透鏡帽7，透鏡帽7的外圓面與第二比對孔3的內(nèi)表面相匹配。

本實(shí)用新型通過在比對管本體1上自外向內(nèi)依次開設(shè)相互同心的第一比對孔2和第二比對孔3，利用第一比對孔2和第二比對孔3對光電二極管4的底座5和透鏡帽7的同心度進(jìn)行檢測，而芯片6的出光面與底座5的相互同心，從而可以換算出透鏡帽7和芯片6的同心度，其不僅結(jié)構(gòu)簡單、使用方便而且能適合的大批量的抽檢。

較佳地，第一比對孔2的深度等于底座5的厚度，在檢測過程中，通過觀測底座5的底部與比對管本體1的底部是否齊平，就可對底座5的厚度是否合格進(jìn)行初步判斷，從而提升了光電二極管4的產(chǎn)品質(zhì)量檢測效率和效果。

本實(shí)施中，為了避免第二比對孔3的底部與透鏡帽7相干涉，第二比對孔3的深度大于透鏡帽7的高度。

優(yōu)選地，為了方便觀測光電二極管4在第一比對孔2和第二比對孔3內(nèi)的狀態(tài)，比對管本體1采用透明材質(zhì)制作而成。

以上，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。