[實用新型]一種低濃度VOCs富集解析裝置

有效

• 申請號: 201720053824.4
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN206546349U
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發明（設計）人: 李吉元
• 申請（專利權）人: 北京雪迪龍科技股份有限公司
• 主分類號: G01N30/08
• 分類號: G01N30/08
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙)11446
• 代理人: 劉國偉,武玉琴

1.一種低濃度VOCs富集解析裝置，包括冷箱、殼體、制冷裝置、富集管、轉接裝置；

在所述冷箱中設置有富集管容納空間，所述冷箱用于使富集管快速降溫；

所述殼體設置在所述冷箱外面；

所述制冷裝置通過制冷裝置安裝口與所述冷箱的外表面貼合；

所述富集管設置在所述富集管容納空間內；

所述轉接裝置用于使所述富集管與外部管路連接。

2.如權利要求1所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述富集管與所述富集管容納空間的距離為0.5cm-5cm。

3.如權利要求2所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述低濃度VOCs富集解析裝置還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器設置在所述富集管表面。

4.如權利要求2所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述轉接裝置包括第一轉接頭、第二轉接頭；

所述第一轉接頭與所述第二轉接頭分別設置在所述富集管的兩端；

所述第一轉接頭和所述第二轉接頭通過所述殼體兩側的轉接頭安裝孔伸出到殼體外。

5.如權利要求2所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述制冷裝置包括半導體制冷片、散熱器；

所述半導體制冷片的制冷面與所述冷箱貼合，所述半導體制冷片的散熱面與所述散熱器貼合。

6.如權利要求5所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述制冷裝置包括至少兩片半導體制冷片；

兩片以上所述半導體制冷片的連接方式為后一片半導體制冷片的制冷面與前一片半導體制冷片的散熱面貼合，第一片半導體制冷片的制冷面與所述冷箱貼合，最后的一片半導體制冷片的散熱面與所述散熱器貼合。

7.如權利要求6所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述制冷裝置還包括散熱風扇，所述散熱風扇設置在散熱器上。

8.如權利要求1所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述冷箱的材料是純銅、銀或鋁；

所述殼體由保溫材料制成。

9.如權利要求1-8之一所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述低濃度VOCs富集解析裝置還包括加熱裝置；

所述加熱裝置用于對所述富集管直接加熱，所述加熱裝置與所述富集管絕緣；

所述加熱裝置設置在所述冷箱中的富集管容納空間內。

10.如權利要求9所述的低濃度VOCs富集解析裝置，其特征在于，

所述加熱裝置為加熱絲或者電熱片；

所述加熱絲纏在所述富集管上；

所述電熱片裹在所述富集管上。