[實用新型]X射線硒平板探測器和硅平板探測器的通用主控電路板有效
| 申請號: | 201720045168.3 | 申請日: | 2017-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN206322695U | 公開(公告)日: | 2017-07-11 |
| 發明(設計)人: | 宋彥佑 | 申請(專利權)人: | 德潤特醫療科技(武漢)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01T1/16 |
| 代理公司: | 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙)33228 | 代理人: | 李迎春 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射線 平板 探測器 通用 主控 電路板 | ||
技術領域
本實用新型涉及平板探測器技術領域,具體涉及一種X射線硒平板探測器和硅平板探測器的通用主控電路板。
背景技術
非晶硅X射線平板探測器和非晶硒X射線平板探測器是兩種不同原理的X射線探測器。非晶硅X射線平板探測器內部使用的是非晶硅TFT圖像傳感器,其結構如圖1所示,包括X射線01、保護層02、熒光材料薄膜03、光電二極管陣列04、玻璃基板05。非晶硒X射線平板探測器內部使用的是非晶硒TFT圖像傳感器,其結構如圖2所示,包括X射線01’、保護層02’、高壓導電層03’、非晶硒薄膜04’、像素導電層05’、玻璃基板06’、擦除燈07’。非晶硅X射線平板探測器的工作過程是:向光電二極管結電容上預先存儲一定的正電荷,X射線照射到熒光材料后產生可見光,可見光會釋放掉光電二極管結電容上的電荷,讀取光電二極管剩余的電荷可知X射線的計量,然后所有像素光電二極管的電荷釋放掉,完成一個圖像采集過程。非晶硒X射線平板探測器的工作過程是:將像素點導電層及所具有的電容存儲一定的負電荷,將高壓導電層施加高壓一般是正3~5KV,X射線會使非晶硒薄膜層電子向高壓導電層運動產生電子空穴而使像素導電層正電荷增加,讀取像素點的電荷可知X射線的計量,然后撤去高壓導電層的高壓,同時點亮擦除燈使非晶硒薄膜的電子空穴回到中性狀態,然后將所有像素的電荷釋放掉,完成一個圖像采集過程。
由于非晶硅X射線平板探測器和非晶硒X射線平板探測器兩者的工作原理不同,通常采用不同的主控電路板。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是:提供一種能同時滿足X射線硒平板探測器和硅平板探測器使用需要的通用主控電路板。
本實用新型的技術解決方案是:一種X射線硒平板探測器和硅平板探測器的通用主控電路板,其特征在于:包括印刷電路板、高壓組件和擦除燈組件,所述印刷電路板上設有兩者公共的主電路模塊和兩個擴展接口,所述兩個擴展接口閑置時可適用X射線硅平板探測器,所述兩個擴展接口分別與高壓組件和擦除燈組件可拆式連接時可適用X射線硒平板探測器。
采用上述結構后,本實用新型具有以下優點:
由于非晶硒X射線平板探測器相比非晶硅X射線平板探測器多出給高壓導電層提供高壓的高壓組件和恢復電子空穴的擦除燈組件,其他電路是相同的,本實用新型將兩者公共相同的電路,即主電路模塊設置在印刷電路板上,而將高壓組件和擦除燈組件從印刷電路板上分離出來,并在印刷電路板上設置可與高壓組件和擦除燈組件可拆式連接的兩個擴展接口,這樣在兩個擴展接口閑置時可適用X射線硅平板探測器,而在兩個擴展接口分別與高壓組件和擦除燈組件可拆式連接時可適用X射線硒平板探測器,從而采用一種主控電路板即可實現X射線硒平板探測器和X射線硅平板探測器的通用。
作為優選,所述擴展接口為母接口時,所述母接口上鉸接一蓋體用于封閉母接口的各孔位。該設置可在母接口閑置時將各孔位封閉,不接入任何外部信號,使用更加可靠。
作為優選,所述擴展接口為公接口時,所述公接口包括外殼和設置在外殼內的可伸縮插針組件。該設置可在公接口閑置時將各插針縮回外殼內,不接入任何外部信號,使用更加可靠。
作為優選,所述可伸縮插針組件包括活動設置在外殼內的安裝座、設置在安裝座一側的用于與高壓組件或擦除燈組件電連接的若干第一導電插針、以及設置在外殼外的與第一導電插針一一對應的用于焊接在印刷電路板上的第二導電插針,所述第一導電插針和第二導電插針通過軟導線連接,所述安裝座遠離第一導電插針的一側通過至少一根壓縮彈簧與外殼相連,所述外殼上還設有螺釘,所述螺釘的一端露在外殼外,另一端伸入外殼內可與安裝座相抵。該可伸縮插針組件結構簡單,使用方便。
作為優選,所述螺釘伸入到外殼內的一端設有定位凸點,所述安裝座上設有用于限位螺釘的定位凸點的兩個定位槽。該設置可使第一導電插針在伸縮后能可靠定位。
附圖說明:
圖1為現有非晶硅TFT圖像傳感器的結構示意圖;
圖2為現有非晶硒TFT圖像傳感器的結構示意圖;
圖3為實施例1的X射線硒平板探測器和硅平板探測器的通用主控電路板的俯視圖;
圖4為實施例1的X射線硒平板探測器和硅平板探測器的通用主控電路板的側視圖;
圖5為實施例2的X射線硒平板探測器和硅平板探測器的通用主控電路板的俯視圖;
圖6為實施例2的X射線硒平板探測器和硅平板探測器的通用主控電路板的側視圖;
圖7為圖6沿A-A’方向的剖視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





