[實用新型]帶有抽真空系統的平板式PECVD進料腔

有效

• 申請號: 201720030341.2
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN206418198U
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 傅林堅;石剛;洪昀;吳威;高振波;王偉星;祝廣輝
• 申請（專利權）人: 浙江晶盛機電股份有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/455
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司33212
• 代理人: 周世駿

技術領域

本實用新型涉及晶硅太陽能電池生產設備領域，是一種PECVD鍍膜設備的帶有抽真空系統的平板式PECVD進料腔。

背景技術

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)即等離子體增強化學氣相沉積技術，是指借助微波或射頻使含有薄膜組成原子的氣體發生電離在局部形成等離子體，借助等離子體活潑易反應的化學特性在基片上沉積出所期望的薄膜。該技術被廣泛應用于晶體硅太陽能電池的生產中。

太陽能行業所用的板式PECVD采用真空腔室作為反應室，因此在工藝過程中需要用真空泵不停地對設備腔室進行抽真空。

影響膜性能的主要因素是鍍膜時溫度、微波功率和真空度的控制。進料腔補給載片的速度直接影響到整個設備的產量，進料后快速達到工藝所需真空度是補給速度的主要影響因素。

由于PECVD工藝過程中會有反應顆粒物產生，真空泵會將顆粒抽到泵體內，長時間在泵體內沉積會造成真空泵的卡死，影響整個生產線的生產效率。

對于只用一條真空管連通腔體進行抽真空方案，氣流變化劇烈，對載片沖擊大，且抽氣效率低；對于用多條真空管路連通腔體進行抽真空方案，因為加長了管路，相當于增加了腔體體積，增加了抽真空時間，影響生產速度。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是：針對上述現有技術的不足，提供一種帶有抽真空系統的平板式PECVD進料腔。

為解決技術問題，本實用新型的解決方案是：

提供一種帶有抽真空系統的平板式PECVD進料腔，該進料腔呈中空狀；在進料腔的底部設有多條氣道，各氣道的一端在進料腔底部中央交匯互通形成中心出口；各氣道的另一端則均勻分布在進料腔底部的四周，且僅在該端部設置連接進料腔的氣道入口；所述中心出口通過真空管道連接至真空泵，在中心出口與真空管道相接處設過濾網。

作為改進，所述氣道是設在進料腔底部的凹陷的條形槽，各氣道及中心出口的上部設蓋板使進料腔的底部保持平面狀態。

作為改進，所述氣道有四條且呈十字形布置，或者氣道有八條且呈米字形布置。

作為改進，所述真空管道上設有角閥。

作為改進，所述氣道上部的蓋板與中心出口上部的蓋板是分離式的。

相對于現有技術，本實用新型的有益效果在于：

1、本實用新型對生產效率的提高和質量的提高有積極的意義，能縮短抽真空時間提高生產效率；提高真空室氣流的穩定性，使鍍膜的條件更加理想化，提高膜的質量。

2、能夠對各種渣粒粉塵進行充分攔截，保護真空泵免受傷害，從而防止真空泵卡死，延長了真空泵的使用壽命。

3、在結構上的改動不大，設計合理，使用效果良好，非常實用。

附圖說明

圖1是本實用新型的整體結構示意圖。

圖2為進料腔的結構示意圖。

圖3為氣道與真空管道的連接示意圖。

圖中：1、進料腔；2、氣道；3、蓋板；4、過濾網；5、角閥；6、真空泵；7、真空管道。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

如圖1-3所示，本實用新型的進料腔1呈中空狀，在其底部設有4條氣道2且呈十字形布置，各氣道2的一端在進料腔1底部中央交匯互通形成中心出口；各氣道2的另一端則均勻分布在進料腔1底部的四周，且僅在該端部設置連接進料腔的氣道入口；中心出口通過真空管道7連接至真空泵6，真空管道7上設角閥5，在中心出口與真空管道7相接處設過濾網4。氣道2是設在進料腔1底部的凹陷的條形槽，各氣道2及中心出口的上部設蓋板3使進料腔1的底部保持平面狀態。氣道2上部的蓋板3與中心出口上部的蓋板3是分離式的，便于拆卸和清理。

氣道2的數量可根據實際需要設置，例如可以選擇八條氣道2，且呈米字形布置，這樣可以提升方形的進料腔1四個角落的抽真空效果。

使用說明：

使用時，先打開角閥5，開動真空泵6即可對進料腔1進行抽真空，從而使進料腔1維持必要的真空工作條件。進料腔1中的各種渣粒(或顆粒狀雜質)隨氣流由四周同時進入氣道2，在真空泵6的抽吸作用下向真空管道7方向流動；渣粒最終在進料腔1底部中央的中心出口處被過濾網4攔截并滯留，大大減少了進入真空泵6的渣粒數量，避免對真空泵6造成傷害。當設備運行一段時間后，打開中心出口處的蓋板3，清除沉積的渣粒。

需要指出的是，以上具體實施方式只是本專利實現方案的具體個例，沒有也不可能覆蓋本專利的所有實現方式，因此不能視作對本專利保護范圍的限定；凡是與以上案例屬于相同構思的實現方案，均在本專利的保護范圍之內。