[實用新型]功率型貼片半導體元件

有效

• 申請號: 201720030091.2
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN206370420U
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 張晗;周云福;黃亞發
• 申請（專利權）人: 廣東百圳君耀電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/06;H01L23/18
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙)11427
• 代理人: 莫文新

技術領域

本實用新型涉及電子元器件技術領域，尤其涉及一種功率型貼片半導體元件。

背景技術

現在市場上主要使用的半導體保護元件包括硅材料或碳化硅材料芯片的瞬態抑制二極管TVS、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS或為金屬氧化物材料芯片的壓敏電阻MOV。

上述瞬態抑制二極管TVS、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS一般都是SOD-123、DO-214AA、DO-214AB、DO-214AC等封裝形態，其能承受的電流從幾安培到幾百安培不等，能承受的功率從200W到最高6.5kW。而傳統直插式的元件，其能承受的電流可達幾千安培，功率可達30kW。

現在市場上的金屬氧化物材料芯片的貼片式壓敏電阻，主要包括多層陶瓷結構和塑封結構，多層陶瓷結構的貼片壓敏電阻受其結構限制和加工工藝的影響，無法做到很高的通流容量，一般只有幾百安培。塑封型的貼片壓敏電阻，市面上現在最大有做到4032封裝的，其通流容量1200A。而傳統的插件式壓敏電阻，其通流容量可達到70kA甚至更高。

如上可以看出，現在市場上的貼片式半導體元件，其耐受功率和電流往往都比較小，遠低于傳統的插件式半導體元件，而在諸如汽車電子、高功率電源等產品中，幾千瓦的功率和幾百安的通流容量遠遠滿足不了實際使用的需求，很多產品都仍在使用插件式半導體元件。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是如何提供一種可封裝與傳統插件式半導體元件相同的半導體芯片，且在功率和其它電性指標上與插件元件保持相同水平的功率型貼片半導體元件。

為解決上述技術問題，本實用新型所采取的技術方案是：一種功率型貼片半導體元件，其特征在于：包括組合芯片，所述組合芯片的上表面焊接有上電極片，下表面焊接有下電極片；所述組合芯片的外側設有容器狀阻燃絕緣外殼，所述外殼與所述組合芯片之間填充有封裝填料，所述上電極片和下電極片的自由端延伸至所述外殼外，作為所述半導體元件的兩個連接引腳。

進一步的技術方案在于：所述組合芯片包括一個以上疊放到一起的單芯片。

進一步的技術方案在于：所述組合芯片為一個壓敏電阻芯片或兩個上、下疊放到一起的瞬態抑制二極管芯片。

進一步的技術方案在于：所述瞬態抑制二極管芯片的上、下表面設有導電層，瞬態抑制二極管芯片與瞬態抑制二極管芯片之間以及上電極片和下電極片與瞬態抑制二極管芯片之間通過焊料片進行焊接；上電極片和下電極片與所述壓敏電阻芯片之間通過焊料片進行焊接。

進一步的技術方案在于：所述上電極片包括第一水平焊接片和第一連接片，所述第一水平焊接片焊接于所述組合芯片的上表面，所述第一連接片與所述第一水平焊接片垂直，所述第一連接片用于作為所述半導體元件的一個連接引腳；所述下電極片包括第二水平焊接片和第二連接片，所述第二水平焊接片焊接于所述組合芯片的下表面，所述第二連接片與所述第二水平焊接片垂直，所述第二連接片用于作為所述半導體元件的另一個連接引腳。

進一步的技術方案在于：所述上電極片包括第一水平焊接片和第一連接片，所述第一水平焊接片焊接于所述組合芯片的上表面，所述第一連接片包括第一豎直連接部和第一水平連接部，所述第一豎直連接部的上端與所述第一水平焊接片固定連接，所述第一豎直連接部的下端位于所述外殼外，與所述第一水平連接部固定連接，所述第一水平連接部用于作為所述半導體元件的一個連接引腳；所述下電極片包括第二水平焊接片和第二連接片，所述第二水平焊接片焊接于所述組合芯片的下表面，所述第二連接片包括第二豎直連接部和第二水平連接部，所述第二豎直連接部的上端與所述第二水平焊接片固定連接，所述第二豎直連接部的下端位于所述外殼外，與所述第二水平連接部固定連接，所述第二水平連接部用于作為所述半導體元件的另一個連接引腳。

進一步的技術方案在于：所述第一水平焊接片和第二水平焊接片上設有若干個通孔。

進一步的技術方案在于：所述第一連接片和第二連接片的前后側面上以及第二水平焊接片與第二連接片的連接處設有凹槽。

進一步的技術方案在于：所述外殼使用阻燃絕緣的塑料、陶瓷或絕緣處理過的金屬材料制作。

進一步的技術方案在于：所述封裝填料的制作材料為阻燃絕緣的環氧樹脂、硅橡膠、石英砂和/或滑石粉。