[實用新型]一種彩色透明LED發光板

有效

• 申請號: 201720027693.2
• 申請日: 2017-01-10
• 公開（公告）號: CN206370425U
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 李天奇
• 申請（專利權）人: 廣州市祺虹電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/62
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙)11411
• 代理人: 張清彥

技術領域

本實用新型涉及LED的制造領域，特別涉及一種彩色透明LED發光板。

背景技術

目前，用于LED發光的電路基板主要以玻纖板為主；LED發光源即由單顆LED組合而成；LED發光源制造方法主要是通過點膠、固晶、打線、灌封等LED封裝工藝，將LED晶片封裝到特制的支架中；LED發光板就是將封裝好的單顆LED通過焊接工藝固定到玻纖電路板上，通過外設電路實現板體發光。LED倒裝封裝技術由于工藝和技術水平的不成熟，目前也僅限于專為照明的白光技術。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種彩色透明LED發光板，該發光板可實現多種發光色彩，同時其制備過程簡單，發光效果穩定。

為了解決上述技術問題，本實用新型的技術方案為一種彩色透明LED發光板，包括由下至上依次連接的透明基板、ITO導電線路層、LED晶片組以及PU透明膜層，LED晶片組選自紅、綠、藍倒裝LED晶片中至少一種，每三個LED晶片依次排列形成LED晶片組，LED晶片組焊接于ITO導電線路層上，LED芯片組表面覆蓋常溫固化的PU透明膜層。

優選地，ITO導電線路層的厚度為100～200nm，ITO導電線路層的制備方法為：透明基板經去離子水洗、超聲波清洗后，進入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導電薄膜層，再經加熱固化退火形成ITO導電膜層，ITO導電膜層最后經過蝕刻形成ITO導電線路層。

優選地，磁控濺射條件為：ITO鍍膜室中磁控濺射靶材In₂O₃和SnO₂的重量比為90％：10％，純度為99.99％，靶基距為6cm，透明基板的溫度為室溫，真空室中的真空為4.0×10^-5Pa，Ar氣分壓1.0Pa，Ar氣流量為12cm³/min，濺射功率為50～200W，沉積速率約為0.7～1nm/s。

優選地，透明基板與ITO導電線路層之間還設置有SiO₂層。

優選地，透明基板上與ITO導電線路層相對的平面上設置銀反光層。

優選地，透明基板上與LED晶片組相對的位置呈內凹狀。

采用上述技術方案，由于在透明基板上設置三種基礎顏色的倒裝LED晶片依次排列，從而實現了多種色彩發光的效果，通過簡單地焊接完成封裝，制備方法簡單，發光效果穩定。

附圖說明

圖1為實施例中一種彩色透明LED發光板的結構示意圖。

圖中，1-透明基板、11-凸起、2-ITO導電線路層、3-LED晶片組、4-PU透明膜層。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式作進一步說明。在此需要說明的是，對于這些實施方式的說明用于幫助理解本實用新型，但并不構成對本實用新型的限定。此外，下面所描述的本實用新型各個實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互組合。

一種彩色透明LED發光板，包括由下至上依次連接的透明基板1、ITO導電線路層2、LED晶片組3以及PU透明膜層4，LED晶片組選自紅、綠、藍倒裝LED晶片中至少一種，每三個LED晶片依次排列形成LED晶片組，本實施例以紅、綠、藍依次排列形成一個LED晶片組為代表例，其他的排列或紅、綠、藍三色LED晶片的選擇可根據日常應用所需的顏色進行選定，LED晶片組焊接于ITO導電線路層上，LED芯片組表面覆蓋常溫固化的PU透明膜層。常溫固化有利于簡化生產工藝。

而為了提高發光的穩定性，降低電阻率，ITO導電線路層的厚度設置為100～200nm，同時ITO導電線路層的制備方法為：透明基板經去離子水洗、超聲波清洗后，進入ITO鍍膜室磁控濺射ITO導電薄膜層，再經加熱固化退火形成ITO導電膜層，ITO導電膜層最后經過蝕刻形成ITO導電線路層。在ITO鍍膜室進行磁控濺射時，磁控濺射靶材In₂O₃和SnO₂的重量比為90％：10％，純度為99.99％，靶基距為6cm，透明基板的溫度為室溫，真空室中的真空為4.0×10^-5Pa，Ar氣分壓1.0Pa，Ar氣流量為12cm³/min，濺射功率為50～200W，沉積速率約為0.7～1nm/s。