[實(shí)用新型]一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720015467.2
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN207256990U
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱立凡;邱啟東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海增華電子科技有限公司
• 主分類號(hào): B32B9/00
• 分類號(hào): B32B9/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B15/08;B32B17/06;B32B17/10;B32B27/06;B32B7/08;B32B33/00
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技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及納米石墨烯材料薄膜，尤其是涉及一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜。

背景技術(shù)

過去逕以化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)成長(zhǎng)的納米石墨烯材料，該化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的高溫制程限制了其在玻璃或軟性基板上的應(yīng)用。而近年來(lái)發(fā)展的技術(shù)中，利用配置納米石墨烯材料的溶液或膠體，并沉積納米石墨烯材料于基板形成薄膜，該技術(shù)滿足低溫制備納米石墨烯材料薄膜的要求，然而該納米石墨烯材料薄膜的導(dǎo)電、導(dǎo)熱特性仍有待提升。部分研究顯示，透過添加導(dǎo)電高分子或貴重金屬納米粒子能有效改善薄膜的導(dǎo)電、導(dǎo)熱特性，然其添加的有機(jī)物、金屬將對(duì)元件造成污染以及可靠度的疑慮，且制程不利與其他元件整合。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是解決上述提出的問題，提供一種不僅簡(jiǎn)單、低成本、無(wú)有機(jī)或金屬添加以及可大面積制程的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜。

本發(fā)明的目的是以如下方式實(shí)現(xiàn)的：一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，具有復(fù)合層結(jié)構(gòu)，依次包括第一基板、第二基板，所述第一基板與第二基板的之間具有納米石墨烯材料薄膜，并通過升溫與加壓的作用。

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，所述納米石墨烯材料薄膜間接或直接沉積于第一基板，亦或整合于單一電子元件或電子元件陣列，并利用該納米石墨烯材料薄膜作導(dǎo)電或?qū)釋印?/p>

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，所述納米石墨烯材料可以是巴克球、C-60、石墨烯、納米碳管、納米金屬線、半導(dǎo)體、金屬氧化物等任一徑向在納米等級(jí)的材料。

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，所述沉積技術(shù)是真空抽濾、旋涂、噴涂、超音波噴涂、網(wǎng)印、電泳、轉(zhuǎn)移、物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、水熱法等可在任一載具上形成薄膜的技術(shù)。

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，所述薄膜厚度范圍可以是1納米至10公分。

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，該納米石墨烯材料薄膜可以是整面、圖案化，亦或利用蝕刻或轉(zhuǎn)移完成圖案化的納米石墨烯材料薄膜。

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，所述第一基板和第二基板是硅晶圓、半導(dǎo)體、石英、玻璃、金屬箔、塑膠、陶瓷用以承載該納米石墨烯材料薄膜的基板。

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，所述升溫的溫度范圍可以是室溫至 1000℃任何加熱形式所能達(dá)到的溫度。

上述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，所述的加壓作用，該加壓范圍可以是1pa 至1000T pa任何加壓形式所能達(dá)到的壓力。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明提出一種新穎的納米石墨烯材料薄膜，首先提供至少一具有納米石墨烯材料薄膜的基板，與另一基板接合，在升溫與加壓作用下，有效提升其納米石墨烯材料薄膜的導(dǎo)電、導(dǎo)熱特性。該納米石墨烯材料薄膜可直接沉積于基板，亦或利用蝕刻或轉(zhuǎn)移完成薄膜的沉積，做為單一電子元件或電子元件陣列的導(dǎo)電、散熱層。

此納米石墨烯材料薄膜可制備于具可撓性、可輪軸制程、可裁性等基板，除大幅提升納米石墨烯材料薄膜的導(dǎo)電、導(dǎo)熱特性，亦可大幅降低應(yīng)用在相關(guān)電子元件的成本。

附圖說(shuō)明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式：

實(shí)施例1

見圖1和圖2所示，一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜，具有復(fù)合層結(jié)構(gòu)，依次包括第一基板1、第二基板2，所述第一基板1與第二基板2的間具有納米石墨烯材料薄膜3，并在升溫與加壓作用下。所述納米石墨烯材料薄膜3間接或直接沉積于第一基板1，亦或整合于單一電子元件或電子元件陣列，并利用該納米石墨烯材料薄膜3作導(dǎo)電或?qū)釋印Ｋ黾{米石墨烯材料可以是巴克球、C-60、石墨烯、納米碳管、納米金屬線、半導(dǎo)體、金屬氧化物等任一徑向在納米等級(jí)的材料。所述沉積技術(shù)，該沉積技術(shù)是真空抽濾、旋涂、噴涂、超音波噴涂、網(wǎng)印、電泳、轉(zhuǎn)移、物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、水熱法等可在任一載具上形成薄膜的技術(shù)。所述薄膜厚度范圍可以是1納米至10公分。該納米石墨烯材料薄膜可以是整面、圖案化，亦或利用蝕刻或轉(zhuǎn)移完成圖案化的納米石墨烯材料薄膜。所述第一基板 1和第二基板2是硅晶圓、半導(dǎo)體、石英、玻璃、金屬箔、塑膠、陶瓷用以承載該納米石墨烯材料薄膜的基板。所述升溫作用，該溫度范圍可以是室溫至1000℃任何加熱形式所能達(dá)到的溫度。所述的加壓作用，該加壓范圍可以是1pa至1000T pa任何加壓形式所能達(dá)到的壓力。