[實(shí)用新型]一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720015467.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207256990U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱立凡;邱啟東 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海增華電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B32B9/00 | 分類(lèi)號(hào): | B32B9/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B15/08;B32B17/06;B32B17/10;B32B27/06;B32B7/08;B32B33/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 熱壓 轉(zhuǎn)移 納米 石墨 材料 薄膜 | ||
1.一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:具有復(fù)合層結(jié)構(gòu),依次包括第一基板(1)、第二基板(2),所述第一基板(1)與第二基板(2)的之間具有納米石墨烯材料薄膜(3),并通過(guò)升溫與加壓的作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:所述納米石墨烯材料薄膜(3)間接或直接沉積于第一基板(1),亦或整合于單一電子元件或電子元件陣列,并利用該納米石墨烯材料薄膜(3)作導(dǎo)電或?qū)釋印?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:所述納米石墨烯材料可以是巴克球、C-60、石墨烯、納米碳管、納米金屬線(xiàn)、半導(dǎo)體、金屬氧化物等任一徑向在納米等級(jí)的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:所述沉積是真空抽濾、旋涂、噴涂、超音波噴涂、網(wǎng)印、電泳、轉(zhuǎn)移、物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、水熱法可在任一載具上形成薄膜的技術(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:所述薄膜厚度范圍可以是1納米至10公分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:該納米石墨烯材料薄膜可以是整面、圖案化,亦或利用蝕刻或轉(zhuǎn)移完成圖案化的納米石墨烯材料薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:所述第一基板(1)和第二基板(2)是硅晶圓、半導(dǎo)體、石英、玻璃、金屬箔、塑膠、陶瓷用以承載該納米石墨烯材料薄膜的基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:所述升溫的溫度范圍可以是室溫至1000℃任何加熱形式所能達(dá)到的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種熱壓轉(zhuǎn)移的納米石墨烯材料薄膜,其特征在于:所述的加壓范圍可以是1pa至1000T pa任何加壓形式所能達(dá)到的壓力。
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