[實(shí)用新型]靜電防護(hù)電路及靜電防護(hù)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720015229.1
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206524332U
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雒濤;曹學(xué)蕾;王科;李鮮;孫亮;杜園園;孟斌;顧煜棟;劉少真
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11435
• 代理人: 陳姍姍

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)一般涉及芯片檢測(cè)領(lǐng)域，具體涉及靜電敏感器件的檢測(cè)領(lǐng)域，尤其涉及靜電防護(hù)電路及靜電防護(hù)裝置。

背景技術(shù)

在天文觀測(cè)中，越來(lái)越多的使用ASIC(Application Specific Integrated Circuit，專用集成電路)專用芯片采集探測(cè)器信號(hào)，例如采用多通道靜電敏感型信號(hào)采集芯片VA32TA6。這類芯片為了提高ASIC的等效輸入噪聲等指標(biāo)，設(shè)計(jì)芯片時(shí)輸入端會(huì)采用柵極引出并去除靜電防護(hù)電路。因此，該類ASIC對(duì)靜電非常敏感，極易受到靜電損傷。特別是在對(duì)該類產(chǎn)品按照航天元器件管理規(guī)范進(jìn)行元器件篩選考核時(shí)，出現(xiàn)過(guò)批次性失效現(xiàn)象，該考核包含多種力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、穩(wěn)定性等性能的試驗(yàn)。

對(duì)于本領(lǐng)域所使用的靜電敏感型ASIC，通常采用以下方式改善靜電敏感度：

一種是COB(Chip on Board)方式。也就是把ASIC的裸片直接粘在印制電路(PCB)上，用鍵合絲把探測(cè)器跟ASIC的輸入端連起來(lái)。ASIC的輸入端就不再懸空，具備了一條通過(guò)探測(cè)器到地的交流回路，對(duì)靜電的敏感度有顯著改善。

這種方式的缺點(diǎn)在于，無(wú)法再按照元器件的管理方法去考核ASIC，只能用設(shè)備級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)去考核。這會(huì)造成考核試驗(yàn)強(qiáng)度不夠，使產(chǎn)品在軌運(yùn)行時(shí)具有失效風(fēng)險(xiǎn)。

另一種是改造環(huán)境，在操作間劃分出專用的EPA(ESD Protected Area)靜電保護(hù)防護(hù)區(qū)域，對(duì)該區(qū)域進(jìn)行防靜電裝修，并制定相應(yīng)的操作規(guī)范，在區(qū)域內(nèi)操作靜電敏感元器件。這種方式成本高，對(duì)人員的操作要求嚴(yán)格。此時(shí)，元器件的抗靜電能力通常只能做到350V以上。對(duì)于靜電敏感 度低于350V的產(chǎn)品，并不適用。而且，元器件篩選的項(xiàng)目較多，如涉及到多部門(mén)和多實(shí)驗(yàn)室的合作時(shí)，該方法也不適用。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種抗靜電的防護(hù)電路，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供一種靜電防護(hù)電路和靜電防護(hù)裝置。

第一方面，提供一種靜電防護(hù)電路，靜電防護(hù)電路包括：

正極防護(hù)電路，包括第一串聯(lián)單元，第一串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端，另一端連接芯片的正極供電端，還包括至少兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；

負(fù)極防護(hù)電路，包括第二串聯(lián)單元，第二串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端，另一端連接芯片的負(fù)極供電端，還包括至少兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；

限流電阻，一端連接芯片輸入端，另一端連接輸入引出端。

第二方面，一種靜電防護(hù)裝置，其特征在于，裝置包括上述的靜電防護(hù)電路，還包括：

電源短接開(kāi)關(guān)，一端連接正極供電端，另一端連接負(fù)極供電端。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，通過(guò)在芯片輸入端接入正極防護(hù)電路、負(fù)極防護(hù)電路和限流電阻，能夠大大改善靜電敏感元器件的靜電受損問(wèn)題。進(jìn)一步的，根據(jù)本申請(qǐng)的某些實(shí)施例，通過(guò)在靜電防護(hù)裝置上增加電源短接開(kāi)關(guān)，還能解決在不加電芯片篩選考核時(shí)，有效地避免芯片的靜電損傷問(wèn)題，獲得雙重保護(hù)的效果。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的靜電防護(hù)電路的示例性電路圖；

圖2示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的靜電防護(hù)裝置的示例性結(jié)構(gòu)框圖；

圖3示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的基于靜電防護(hù)裝置的芯片篩選方 法的示例性流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)實(shí)用新型，而非對(duì)該實(shí)用新型的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與實(shí)用新型相關(guān)的部分。

需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。

請(qǐng)參考圖1，示出了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的靜電防護(hù)電路的示例性電路圖。

如圖1所示，提供一種靜電防護(hù)電路，靜電防護(hù)電路包括：

正極防護(hù)電路，包括第一串聯(lián)單元，第一串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端ASIC_ain，另一端連接芯片的正極供電端VCC，還包括至少兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；

負(fù)極防護(hù)電路，包括第二串聯(lián)單元，第二串聯(lián)單元一端連接芯片輸入端，另一端連接芯片的負(fù)極供電端VEE，還包括至少兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管；

限流電阻R1，一端連接芯片輸入端ASIC_ain，另一端連接輸入引出端Pin。