[實用新型]一種刻蝕腔室

有效

• 申請號: 201720005596.3
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN206282821U
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 馬志超;李淳東;李知勛;霍曉迪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種刻蝕腔室。

背景技術

基板的制備過程中，常采用等離子體刻蝕的方式來形成基板上的預定圖案。等離子體刻蝕是利用高頻電源和反應氣體生成低溫等離子體，其包含離子和自由基，該離子和自由基與待刻蝕基板上未被光刻膠覆蓋的物質反應生成揮發性物質，從而達到刻蝕的效果。

其中，如圖1(a)和圖1(b)所示，刻蝕腔室包括頂部開口的腔體10、蓋合在腔體10頂部的蓋體20、以及設置在腔體10頂部的密封結構30，腔體10上設置有特氣孔11。

現有技術中，特氣孔11設置在密封結構30內側，為了繞過特氣孔11，密封結構30在特氣孔11兩側位置處會有明顯的拐角，使得拐角位置處的密封結構30會承受有較大的張力，導致密封結構出現破裂。在此基礎上，刻蝕腔室內進行刻蝕工藝時，密封結構30與特氣和等離子體接觸，導致其老化速度加快，容易開裂，從而大大減少了密封結構30的使用壽命。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種刻蝕腔室，可延長刻蝕腔室的使用壽命。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

提供一種刻蝕腔室，包括頂部開口的腔體、蓋合在所述腔體頂部的蓋體、以及設置在所述腔體頂部的密封結構，所述腔體的頂部設置有特氣孔，所述特氣孔設置在所述密封結構內側，在設置有所述特氣孔的一側，所述密封結構為向遠離所述特氣孔一側凸出的弧形形狀。

優選的，在設置有所述特氣孔的一側，所述密封結構包括第一部分和第二部分；所述第一部分為弧形形狀，與所述特氣孔對應；所述第二部分為線形形狀，分別設置在所述第一部分的兩端且與所述第一部分的端點相切。

優選的，所述密封結構為密封圈。

進一步優選的，所述腔體的頂部設置有一圈凹槽，所述密封圈設置在所述凹槽內。

進一步優選的，沿所述腔體頂部到所述腔體底部的方向，所述密封圈的截面形狀為圓形。

可選的，所述凹槽的深度為所述密封圈直徑的2/3。

可選的，所述凹槽的深度為所述密封圈直徑的1/2。

基于上述，優選的，所述腔體為頂部開口的中空型立方體。

本實用新型實施例提供一種刻蝕腔室，通過將密封結構在設置有特氣孔的一側的形狀設置為向遠離特氣孔一側突出的弧形，使得密封結構在特氣孔兩側位置處沒有明顯的拐角，而是在沿遠離腔體內部的方向，以逐漸收斂的方式繞過特氣孔，使得密封結構無需承受內部表面張力，因此不易出現破裂，可延長密封結構的使用壽命，從而延長刻蝕腔室的使用壽命，降低更換次數，節約成本。

此外，在刻蝕腔室進行刻蝕工藝時，密封結構直接與特氣和等離子體接觸，而特氣和等離子體對密封結構有腐蝕作用，在密封結構沒有破裂的情況下，特氣和等離子體對密封結構的腐蝕速度會減慢，可進一步延長密封結構的使用壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1(a)為現有技術提供的一種刻蝕腔室的結構示意圖；

圖1(b)為現有技術提供的一種刻蝕腔室的俯視示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的結構示意圖一；

圖3為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的結構示意圖二；

圖4為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的俯視示意圖；

圖5為本實用新型實施例提供的一種刻蝕腔室的結構示意圖三。

附圖標記：

10-腔體；12-凹槽；20-蓋體；11-特氣孔；31-第一部分；32-第二部分；30-密封結構。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。