[發明專利]用于轉移微發光二極管的轉移頭以及轉移方法

有效

• 申請號: 201711488568.2
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108198773B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 趙芬利
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種用于轉移微發光二極管的轉移頭，所述轉移頭包括：

抓取部，由記憶合金形成，包括指狀部分；以及

溫度控制元件，被構造為連接到抓取部，且控制抓取部的溫度，

其中，根據所要轉移的微發光二極管，所述指狀部分被構造為：在第一溫度下舒展，足以與微發光二極管分離；在第二溫度下收縮，足以抓取微發光二極管，所述第二溫度高于所述第一溫度。

2.根據權利要求1所述的轉移頭，所述轉移頭還包括：

承載部件，用于承載抓取部和溫度控制元件。

3.根據權利要求2所述的轉移頭，其中：

溫度控制元件完全嵌入承載部件，抓取部部分地嵌入承載部件。

4.根據權利要求3所述的轉移頭，其中，抓取部還包括：

固定部分，嵌入溫度控制元件中；以及

主體部分，連接固定部分和指狀部分，形成在溫度控制元件和承載部件的表面上。

5.根據權利要求1所述的轉移頭，其中：

抓取部為在通過濺射沉積和晶化熱處理而形成記憶合金薄膜后在加工溫度下加工形成。

6.根據權利要求1所述的轉移頭，其中：

記憶合金包括Au-Cd、Ag-Cd、Cu-Zn、Cu-Zn-Al、Cu-Zn-Sn、Cu-Zn-Si、Cu-Sn、Cu-Zn-Ga、In-Ti、Au-Cu-Zn、NiAl、Fe-Pt、Ti-Ni、Ti-Ni-Pd、Ti-Nb、U-Nb和Fe-Mn-Si中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的轉移頭，其中：

指狀部分的長度為微發光二極管的高度的1倍至1.5倍，舒展的指狀部分之間的最大距離為微發光二極管的寬度的1.5倍至2倍。

8.一種用于轉移微發光二極管的轉移方法，所述轉移方法包括：

在第一溫度下將轉移頭移動到被提供在基板上的微發光二極管的上方，轉移頭為權利要求1至權利要求7之一所述的轉移頭；

驅動溫度控制元件使得轉移頭的抓取部的溫度從第一溫度變為第二溫度，抓取部收縮將微發光二極管抓取，轉移至目標基板；

驅動溫度控制元件使得轉移頭的抓取部的溫度從第二溫度變為第三溫度，抓取部舒展，使得轉移頭與微發光二極管分開。

9.根據權利要求8所述的轉移方法，其中：

轉移頭抓取微發光二極管的作用力足以克服微發光二極管與提供微發光二極管的基板之間的作用力以及微發光二極管的重力。

10.根據權利要求8所述的轉移方法，其中：

在將轉移頭移動到被提供在基板上的微發光二極管的上方的步驟中，轉移頭與微發光二極管之間的距離為1μm至3μm。