[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板

在審

• 申請號: 201711488060.2
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108231906A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 林欽遵
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

本發明公開了一種薄膜晶體管的制作方法，其包括：在基板上形成第一電極、像素電極以及位于所述像素電極上的第二電極；在所述第一電極和所述第二電極上形成第一絕緣層，且在所述第一絕緣層中形成分別暴露所述第一電極和所述第二電極的過孔；在所述第一絕緣層上形成填充所述過孔的有源層；在所述有源層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成柵極；在所述第二絕緣層上形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層。本發明通過先制作第一電極和第二電極，后制作有源層，從而避免現有的制作第一電極和第二電極時對有源層出現損傷的現象，進而提高器件的性能。

技術領域

本發明屬于半導體器件制作技術領域，具體地講，涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板。

背景技術

隨著光電與半導體技術的演進，也帶動了平板顯示器(FlatPanel Display)的蓬勃發展，而在諸多平板顯示器中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，簡稱TFT-LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等諸多優越特性，已成為市場的主流。

金屬氧化物(諸如銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，簡稱IGZO)等)半導體材料由于具有高的遷移率和開態電流，被廣泛應用到顯示行業的薄膜晶體管器件中。然而在目前的金屬氧化物薄膜晶體管器件的制作中，金屬氧化物有源層通常采用濕法刻蝕形成，而源漏極也是采用濕法刻蝕形成，因此在制作源漏極時會對金屬氧化物有源層造成損傷，從而影響器件性能。

發明內容

為了解決上述現有技術存在的問題，本發明的目的在于提供一種在制作源漏極時能夠避免損傷金屬氧化物有源層的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板。

根據本發明的一方面，提供了一種薄膜晶體管的制作方法，其包括：在基板上形成間隔的第一電極和第二電極；在所述第一電極和所述第二電極上形成第一絕緣層，且在所述第一絕緣層中形成分別暴露所述第一電極和所述第二電極的過孔；在所述第一絕緣層上形成填充所述過孔的有源層；在所述有源層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成柵極；在所述第二絕緣層上形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層。

進一步地，在所述第一絕緣層上形成填充所述過孔的有源層之后，所述薄膜晶體管的制作方法還包括：對填充到所述過孔中的有源層進行退伙處理，以將填充到所述過孔中的有源層導體化。

進一步地，利用金屬氧化物材料在所述第一絕緣層上形成填充所述過孔的有源層。

進一步地，在基板上形成第一電極、像素電極以及位于所述像素電極上的第二電極之前，所述薄膜晶體管的制作方法還包括：利用二氧化硅材料在所述基板上形成緩沖層。

進一步地，在所述第二絕緣層上形成柵極的方法包括：在所述第二絕緣層上形成疊層的第二金屬層和光阻層；對所述光阻層進行圖案化處理，以將第二金屬層的除將要形成柵極的部分之外的其他部分上的光阻層去除；將暴露的第二金屬層以及剩余的光阻層去除。

進一步地，在所述第二絕緣層上形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層的方法包括：在所述第二絕緣層和所述柵極上形成疊層的絕緣膜層和光阻層；對所述光阻層進行圖案化處理，以將所述光阻層的除位于所述柵極上方的部分之外的其他部分去除；將暴露的絕緣膜層和剩余的光阻層去除。

進一步地，所述柵極位于剩余的光阻層在所述第二絕緣層上的投影以內。

根據本發明的另一方面，還提供了一種由上述的制作方法制作而成的薄膜晶體管。