[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件的檢測電路及半導(dǎo)體存儲器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711480965.5 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109994146B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/56 | 分類號: | G11C29/56 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313 | 代理人: | 張臻賢;王珺 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 存儲 器件 檢測 電路 | ||
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測電路,其特征在于,所述第一比較器和所述第二比較器的第一輸入端皆為同相輸入端,所述第一比較器和所述第二比較器的第二輸入端皆為反相輸入端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測電路,其特征在于,所述譯碼單元的第一地址輸入端的輸入信號用X1表示,第二地址輸入端的輸入信號用X2表示,第一輸出端的輸出信號用Y1表示,第二輸出端的輸出信號用Y2表示,第三輸出端的輸出信號用Y3表示,第四輸出端的輸出信號用Y4表示;
所述譯碼單元的邏輯表達(dá)式滿足以下關(guān)系式:或者其中,E表示所述譯碼單元的使能信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測電路,其特征在于,所述第一地址輸入端與所述第一比較器的輸出端連接,第二地址輸入端與所述第二比較器的輸出端連接:
當(dāng)所述譯碼單元的第三輸出端的輸出信號Y3為有效電平信號,所述譯碼單元的其他輸出端的輸出信號Y1,Y2和Y4為無效電平信號時,表示所述阻抗端點與所述參考電阻連接正常,所述參考電阻連接到地或連接到電源電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測電路,其特征在于,當(dāng)所述譯碼單元的第四輸出端的輸出信號Y4為有效電平信號,所述譯碼單元的其他輸出端的輸出信號Y1,Y2和Y3為無效電平信號時,表示所述阻抗端點短路到地;
當(dāng)所述譯碼單元的第一輸出端的輸出信號Y1為有效電平信號,所述譯碼單元的其他輸出端的輸出信號Y2,Y3和Y4為無效電平信號時,表示阻抗端點短路到電源電壓;
當(dāng)所述譯碼單元的第二輸出端的輸出信號Y2為有效電平信號,所述譯碼單元的其他輸出端的輸出信號Y1,Y3和Y4為無效電平信號時,表示所述第一比較器和所述第二比較器工作狀態(tài)不正常,報錯。
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