[發明專利]雙向低電容TVS器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201711475900.1
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108321185B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 張常軍;徐敏杰;周瓊瓊
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/02;H01L21/822
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種雙向低電容TVS器件，其特征在于，包括：

第一導電類型襯底；

第一導電類型外延層，所述第一導電類型外延層形成于所述第一導電類型襯底上；

第一導電類型埋層，所述第一導電類型埋層形成于所述第一導電類型外延層中；

第二導電類型埋層，所述第二導電類型埋層形成于所述第一導電類型埋層上；

第二導電類型外延層，所述第二導電類型埋層形成于所述第一導電類型外延層上；

多個隔離結構，所述多個隔離結構貫穿所述第二導電類型外延層，所述多個隔離結構將所述第二導電類型外延層分為多個區域，所述多個區域包括第一區域和第二區域；

第二導電類型阱區，所述第二導電類型阱區形成于所述第二區域中；

第一導電類型注入區，所述第一導電類型注入區形成于所述第一區域和所述第二導電類型阱區中。

2.根據權利要求1所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，還包括：

金屬線，所述金屬線連接所述第一區域中的第一導電類型注入區和所述第二區域中的第一導電類型注入區。

3.根據權利要求2所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述金屬線與電源連接，所述第一導電類型襯底與地連接。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

5.根據權利要求4所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型襯底為重摻雜結構，所述第一導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第一導電類型埋層為重摻雜結構，所述第二導電類型埋層為重摻雜結構，所述第二導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第二導電類型阱區為重摻雜結構，所述第一導電類型注入區為重摻雜結構。

6.根據權利要求4所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型襯底為重摻雜結構，所述第一導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第一導電類型埋層為輕摻雜結構，所述第二導電類型埋層為重摻雜結構，所述第二導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第二導電類型阱區為重摻雜結構，所述第一導電類型注入區為重摻雜結構。

7.根據權利要求4所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型襯底的電阻率為0.005Ω.cm～0.008Ω.cm。

8.根據權利要求4所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型外延層的電阻率為2.0Ω.cm～4.0Ω.cm，厚度6.0μm～14.0μm。

9.根據權利要求4所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第二導電類型外延層28的電阻率為25Ω.cm～35Ω.cm，厚度6.0μm～12.0μm。

10.根據權利要求5所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型埋層包括在所述第一導電類型外延層中注入的第一導電類型離子，所述第一導電類型離子的注入劑量為2.0E15～6.0E15。

11.根據權利要求6所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型埋層包括在所述第一導電類型外延層中注入的第一導電類型離子，所述第一導電類型離子的注入劑量為1.0E14～8.0E14。

12.根據權利要求5或6所述的雙向低電容TVS器件，其特征在于，所述第二導電類型埋層包括在所述第一導電類型埋層上注入的第二導電類型離子，所述第二導電類型離子的注入劑量為6.0E15～1.0E16。