[發明專利]測量點補償值的計算方法、裝置及設備有效
| 申請號: | 201711474634.0 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109994393B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G06F30/20 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務所 11313 | 代理人: | 張臻賢;王珺 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測量 補償 計算方法 裝置 設備 | ||
1.一種測量點補償值的計算方法,包括:
確定晶圓上多個測量圖案中的多個測量點,獲取所述測量點的初始值;
由所述測量圖案中的測量點構成第一測量點群組,根據所述第一測量點群組中的測量點的初始值計算第一補償值;
根據所述第一補償值對所述第一測量點群組中的測量點的初始值進行補償,得到所述測量點的校準值;以及
由所述測量圖案中的所述測量點構成第二測量點群組,當第二測量點群組與第一測量點群組存在測量點交集時,產生交集部分的所述測量點的校準值返回到所述測量點的初始值,并根據第二測量點群組中測量點的初始值計算第二補償值。
2.根據權利要求1所述測量點補償值的計算方法,其特征在于,所述第一測量點群組的測量點包括待測晶圓上的已知測量點;以及
計算所述第一補償值的步驟包括:
對所述待測晶圓上的已知測量點的初始值執行線性補償計算,得到所述第一補償值。
3.根據權利要求1或2所述測量點補償值的計算方法,其特征在于,所述第二測量點群組的測量點包括至少一個曝光單元中的測量點;以及
計算所述第二補償值的步驟包括:
計算出所述曝光單元的所述第二補償值。
4.根據權利要求1所述測量點補償值的計算方法,其特征在于,所述第一測量點群組的測量點包括至少一個曝光單元的測量點;以及
計算所述第一補償值的步驟包括:
計算出所述曝光單元的所述第一補償值。
5.根據權利要求1或4所述測量點補償值的計算方法,其特征在于,所述第二測量點群組的測量點包括待測晶圓上的已知測量點;以及
所述計算第二補償值的步驟包括:
對所述待測晶圓上的已知測量點的初始值執行線性補償計算,得到所述第二補償值。
6.一種測量點補償值的計算裝置,其特征在于,包括:
合并量測模塊,用于確定晶圓上多個測量圖案中的多個測量點,獲取所述測量點的初始值;
第一設定模塊,用于由所述測量圖案中的測量點構成第一測量點群組,根據所述第一測量點群組中的測量點的初始值計算第一補償值;
補償模塊,用于根據所述第一補償值對所述第一測量點群組中的測量點的初始值進行補償,得到所述測量點的校準值;以及
第二設定模塊,用于由所述測量圖案中的所述測量點構成第二測量點群組,當第二測量點群組與第一測量點群組存在交集時,產生交集部分的所述測量點的校準值返回到所述測量點的初始值,并根據第二測量點群組中測量點的初始值計算第二補償值。
7.根據權利要求6所述測量點補償值的計算裝置,其特征在于,所述第一測量點群組的測量點包括待測晶圓上的已知測量點;所述補償模塊用于對所述待測晶圓上的已知測量點的初始值執行線性補償計算,得到所述第一補償值。
8.根據權利要求6或7所述測量點補償值的計算裝置,其特征在于,所述第二測量點群組的測量點包括至少一個曝光單元中的測量點,所述第二設定模塊用于計算出至少一個曝光單元的所述第二補償值。
9.根據權利要求6所述測量點補償值的計算裝置,其特征在于,所述第一測量點群組包括至少一個曝光單元的測量點,所述補償模塊用于計算出至少一個曝光單元的所述第一補償值。
10.根據權利要求6或9所述測量點補償值的計算裝置,其特征在于,所述第二測量點群組的測量點包括待測晶圓的已知測量點,所述第二設定模塊用于對所述待測晶圓上的已知測量點的初始值執行線性補償計算,得到所述第二補償值。
11.一種測量點補償值的計算設備,其特征在于,包括:
存儲器,用于存儲計算機程序;
處理器,用于執行所述計算機程序時,實現如權利要求1所述的測量點補償值的計算方法。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





