[發明專利]質子源

在審

• 申請號: 201711468135.0
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108091412A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 趙紅衛;謝祖褀;張文慧;孫良亭;劉占穩
• 申請（專利權）人: 中國科學院近代物理研究所
• 主分類號: G21G4/04
• 分類號: G21G4/04;G21G4/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張成新

1.一種質子源，包括：

第一殼體，所述第一殼體的內部形成放電腔；以及

波導管，該波導管用于將微波導入放電腔，

其中所述波導管導入的微波的頻率在14-18GHz的范圍內。

2.根據權利要求1所述的質子源，其中：

所述放電腔是柱狀的，所述波導管包括靠近放電腔的第一部分，所述放電腔的橫截面面積與所述波導管的第一部分的橫截面面積的比值大于9。

3.根據權利要求1所述的質子源，其中：

所述波導管還包括遠離放電腔的與第一部分連接的第二部分，所述第二部分相對于第一部分彎曲，使得所述第二部分的遠離第一部分的端部沿第一部分的軸向方向在垂直于所述軸向方向的平面上的投影在第一部分的沿所述軸向方向在該平面上的投影之外；并且

所述質子源還包括微波窗，該微波窗設置在所述第二部分的遠離第一部分的端部上。

4.根據權利要求1所述的質子源，其中：

所述波導管還包括與第一部分連接的第二部分，所述第二部分與第一部分成大致90度；并且

所述質子源還包括微波窗，該微波窗設置在所述第二部分的遠離第一部分的端部上。

5.根據權利要求1所述的質子源，其中：

所述第一殼體具有圓筒狀部分，該圓筒狀部分具有第一端部，第二端部，以及第一端部與第二端部之間的形成放電腔的中部；并且

所述質子源還包括法蘭組件，該法蘭組件包括：塞部，該塞部插入圓筒狀部分的第一端部中；以及法蘭，該法蘭與塞部的遠離放電腔的端部連接，并與所述第一殼體連接，法蘭組件具有第一通孔，所述波導管包括靠近放電腔的第一部分，該第一部分的至少一部分插入法蘭組件的第一通孔中。

6.根據權利要求5所述的質子源，還包括：

等離子體電極，該等離子體電極是環狀的，并且插入該圓筒狀部分的第二端部內；以及

設置在等離子體電極的遠離放電腔的一側的地電極。

7.根據權利要求5所述的質子源，還包括：

防護片，設置在塞部的靠近放電腔的端部上，所述波導管的第一部分在防護片的遠離放電腔的一側，該防護片將轟擊防護片的等離子體轉換成次級電子。

8.根據權利要求7所述的質子源，其中：

所述防護片是氮化硼片。

9.根據權利要求7所述的質子源，還包括：

進氣管，其中法蘭組件還具有第二通孔，該進氣管的端部插入法蘭組件的第二通孔并穿過防護片中的通孔，以向放電腔供應氣體。

10.根據權利要求6所述的質子源，還包括：

與第一殼體連接的圓筒狀的第二殼體；

與第二殼體連接的連接法蘭；以及

與連接法蘭連接的電極座，地電極通過電極座安裝在連接法蘭上。