[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、金屬膜的制作方法在審
| 申請號： | 201711464405.0 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108172611A | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發明（設計）人： | 胡小波 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 阻擋金屬層 柵極絕緣層 銅膜層 源層 制作 氮氣 薄膜晶體管 濺射鍍膜 氬氣環境 氧氣 薄膜晶體管器件 圖案化處理 陣列基板 金屬膜 銅離子 致密性 基板 漏極 源極 阻擋 擴散 覆蓋 | ||
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成柵極、覆蓋所述柵極的柵極絕緣層以及位于所述柵極絕緣層上的有源層；
在混合有氮氣或者氧氣的氬氣環境中利用濺射鍍膜的方式在所述有源層和所述柵極絕緣層上形成阻擋金屬層；
在所述阻擋金屬層上形成銅膜層；
對所述銅膜層和所述阻擋金屬層進行圖案化處理，以形成分別與所述有源層接觸的源極和漏極。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氮氣或所述氧氣與所述氬氣的體積比為0.05:1～0.3:1。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氮氣或所述氧氣與所述氬氣的體積比為0.1:1。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阻擋金屬層的制作材料包括鉬、鈦、鉬鈦合金和鉬鈮合金中的一種。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，對所述銅膜層和所述阻擋金屬層進行圖案化處理的方法包括：
在所述銅膜層上形成光阻層；
將位于所述有源層上方的部分所述光阻層去除，以暴露部分所述銅膜層；
將所述銅膜層的被暴露的部分及位于所述銅膜層的被暴露的部分下方的所述阻擋金屬層去除，以形成彼此間隔的源極和漏極。
6.一種由權利要求1至5任一項所述的制作方法制作的薄膜晶體管。
7.一種陣列基板，其特征在于，包括：
權利要求6所述的薄膜晶體管；
鈍化層，設置于所述薄膜晶體管的源極、漏極和有源層上，所述鈍化層中具有暴露所述漏極或所述源極的過孔；
像素電極，設置于所述鈍化層上，且通過所述過孔與暴露的所述漏極或所述源極接觸。
8.一種金屬膜的制作方法，其特征在于，包括：在混合有氮氣或者氧氣的氬氣環境中利用濺射鍍膜的方式在基板上鍍制金屬膜。
9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述氮氣或所述氧氣與所述氬氣的體積比為0.05:1～0.3:1。
10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述金屬膜的制作材料包括鉬、鈦、鉬鈦合金和鉬鈮合金中的一種。
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