[發(fā)明專利]一種新型高頻屏蔽渦流探頭在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711462768.0 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN107843646A | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林俊明;倪培君;戴永紅;宋凱 | 申請(專利權)人: | 愛德森(廈門)電子有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/90 | 分類號: | G01N27/90 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361008 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 高頻 屏蔽 渦流 探頭 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種無損檢測裝置,特別是涉及一種新型高頻屏蔽渦流探頭。
背景技術
為解決渦流檢測的邊緣效應,滿足某些工件的特殊檢測需求,常規(guī)渦流磁屏蔽探頭采用磁環(huán)或磁罐作為外屏蔽罩,其作用除了實現電磁屏蔽外,還可增加線圈感抗,減少銅耗的效果。然而,對于一些特殊場合,受檢測環(huán)境條件限制,上述方法探頭體積較大,無法實施。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服現有技術之不足,提供一種新型高頻屏蔽渦流探頭,基于高頻渦流探頭線圈匝數較少的特點,采用扁平渦流線圈和磁片組成高頻屏蔽渦流探頭。
本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種新型高頻屏蔽渦流探頭,包括磁片、一個或多個扁平渦流線圈,其特征在于:一個扁平渦流線圈時,磁片覆蓋固定在扁平渦流線圈上端面,磁片的面積大于扁平渦流線圈端面面積;多個扁平渦流線圈時,多個扁平渦流線圈并排或陣列式固定,磁片覆蓋固定在多個扁平渦流線圈上端面,磁片的面積大于多個扁平渦流線圈端面面積之和;所述磁片用于聚磁加強其下方的扁平渦流線圈的高頻交變感應磁場,同時屏蔽其上方的外部電磁干擾。所述磁片采用鐵氧體或釹鐵硼材料制作。所述扁平渦流線圈采用線圈平面螺旋式纏繞或印刷電路板螺旋式印刷制作。
本發(fā)明的有益效果是,一種新型高頻屏蔽渦流探頭,基于高頻渦流探頭線圈匝數較少的特點,采用扁平渦流線圈和磁片組成高頻屏蔽渦流探頭,在保證屏蔽效果和高檢測靈敏度功效的同時,大大減小了探頭體積,簡化制作工藝,滿足生產實際應用要求,使其適用于更多檢測環(huán)境較為苛刻的檢測工作。
以下結合實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明,但本發(fā)明的一種新型高頻屏蔽渦流探頭不局限于實施例。
附圖說明
下面結合附圖中實施例對本發(fā)明進一步說明。
圖1是本發(fā)明實施例一的探頭示意圖。
圖2是本發(fā)明實施例二的探頭示意圖。
圖3是本發(fā)明實施例三的探頭示意圖。
圖中,1.磁片,2.扁平渦流線圈。
具體實施方式
實施例一,如圖1,一種新型高頻屏蔽渦流探頭,包括磁片1、一個或多個扁平渦流線圈2,其特征在于:一個扁平渦流線圈2時,磁片1覆蓋固定在扁平渦流線圈2上端面,磁片1的面積大于扁平渦流線圈2端面面積;所述磁片1用于聚磁加強其下方的扁平渦流線圈2的高頻交變感應磁場,同時屏蔽其上方的外部電磁干擾。所述扁平渦流線圈2采用線圈平面螺旋式纏繞或印刷電路板螺旋式印刷制作。
實施例二,如圖2,一種新型高頻屏蔽渦流探頭,包括磁片1、二個扁平渦流線圈2,其特征在于:兩個扁平渦流線圈2時,二個扁平渦流線圈2并排固定,磁片1覆蓋固定在二個扁平渦流線圈2上端面,磁片1的面積大于二個扁平渦流線圈2端面面積之和;所述磁片1用于聚磁加強其下方的扁平渦流線圈2的高頻交變感應磁場,同時屏蔽其上方的外部電磁干擾。所述扁平渦流線圈2采用線圈平面螺旋式纏繞或印刷電路板螺旋式印刷制作。
實施例三,如圖3,一種新型高頻屏蔽渦流探頭,包括磁片1、多個扁平渦流線圈2,其特征在于:多個扁平渦流線圈2時,多個扁平渦流線圈2陣列式固定,磁片1覆蓋固定在多個扁平渦流線圈2上端面,磁片1的面積大于多個扁平渦流線圈2端面面積之和;所述磁片1用于聚磁加強其下方的扁平渦流線圈2的高頻交變感應磁場,同時屏蔽其上方的外部電磁干擾。所述磁片1采用鐵氧體或釹鐵硼材料制作。所述扁平渦流線圈2采用線圈平面螺旋式纏繞或印刷電路板螺旋式印刷制作。
上述實施例僅用來進一步說明本發(fā)明的一種新型高頻屏蔽渦流探頭,但本發(fā)明并不局限于實施例,凡是依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均落入本發(fā)明技術方案的保護范圍內。
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