[發明專利]適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法

有效

• 申請號: 201711461652.5
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108198765B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 許箭;王艷云;毛智彪;楊正凱
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底中具有前層輔助圖形；

于所述半導體襯底表面形成覆蓋層；

刻蝕部分所述覆蓋層，暴露出所述前層輔助圖形；

于所述半導體襯底表面形成當層輔助圖形，且所述當層輔助圖形暴露出所述前層輔助圖形；

采用多種方法對所述當層輔助圖形與所述前層輔助圖形的套刻精度進行評估；

測量不同方向上所述當層輔助圖形與所述前層輔助圖形的套刻精度；

分別將多種方法評估得到的套刻精度與測量得到的套刻精度進行線性擬合，獲得各自的線性擬合斜率及線性相關系數，確定與測量得到的套刻精度最接近的評估方法為最佳評估方法。

2.如權利要求1所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，所述前層輔助圖形為周期排布的第一溝槽。

3.如權利要求2所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，所述第一溝槽的寬度為5nm～2000nm。

4.如權利要求3所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，所述當層輔助圖形為周期排布的第二溝槽，且所述前層輔助圖形與所述當層輔助圖形的周期相同。

5.如權利要求4所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，所述第二溝槽的寬度為5nm～2000nm。

6.如權利要求4所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，所述周期為20nm～2000nm。

7.如權利要求1所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，于所述半導體襯底表面形成覆蓋層的步驟包括：于所述第一溝槽中填充介質層；依次于所述半導體襯底表面形成柵極氧化層及多晶硅柵極。

8.如權利要求8所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，所述介質層為氧化硅、氮化硅、多晶硅、碳化硅、底部抗反射材料中的一種或幾種的組合。

9.如權利要求1所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，刻蝕部分所述覆蓋層，暴露出所述前層輔助圖形的步驟包括：于所述覆蓋層上形成第一光阻；對所述第一光阻進行曝光、顯影，暴露出部分所述覆蓋層；刻蝕暴露出的所述覆蓋層；去除所述第一光阻。

10.如權利要求1所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，于所述半導體襯底表面形成當層輔助圖形的步驟包括：于暴露出的所述前層輔助圖形上形成第二光阻；對所述第二光阻進行曝光、顯影，形成所述當層輔助圖形。

11.如權利要求1所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，采用基于圖像信號處理的套刻精度量測方法或基于衍射信號處理的套刻精度量測方法評估所述套刻精度。

12.如權利要求1所述的適用于離子注入工藝套刻精度的評估方法，其特征在于，所述離子注入工藝為阱區離子注入工藝、多晶硅柵離子注入工藝、輕摻雜漏極離子注入工藝或源和漏離子注入工藝。