[發明專利]一種用于磁控濺射的以氣體為摻雜源的供氣裝置

在審

• 申請號: 201711456534.5
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108165942A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 沈洪雪;王天齊;金克武;姚婷婷;楊勇;李剛
• 申請（專利權）人: 中建材蚌埠玻璃工業設計研究院有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 尹杰

本發明涉及一種用于磁控濺射的以氣體為摻雜源的供氣裝置，包括供氣環（1），在供氣環（1）的內壁（2）上均布一組出氣孔（3），在供氣環（1）內設有環形腔體，在每個出氣孔（3）均與環形腔體連通，在供氣環（1）上還連接進氣管（4），進氣管（4）連接環形腔體，在供氣環（1）上還連接吊耳（5）。本發明的優點：本裝置克服了現有供氣系統中氣體分布不均勻，離化程度不高，摻雜量達不到目標值以及不能進行定量分析等缺陷，有效促進摻雜氣體源進行離子化，提高了氣體的利用率，提高摻雜量，達到有效進行摻雜完成鍍膜的目的，同時還能精準進行定量分析，為多元素摻雜磁控濺射的進一步研究開發提供了一個更好的精確方案。

技術領域

本發明涉及鍍膜技術領域，特別涉及一種用于磁控濺射的以氣體為摻雜源的供氣裝置。

背景技術

在鍍膜技術迅速發展的今天，單一元素的鍍膜已經不能滿足工業的需求，多元素薄膜是目前最熱門的研究領域之一。眾所周知，多元素薄膜的制備特別是對于有氣體作為摻雜源的薄膜的制備，一般直接采用起輝氣體和摻雜氣體同時通過一個氣管并通入濺射腔室中，這樣很可能造成摻雜氣體在整個腔室中的不均勻性，摻雜到薄膜的過程中也有很多不確定性，對于定量的分析產生很不利的影響，可能會造成通入量少反而比通入量多形成的摻雜量多的可能性。

發明內容

本發明的目的是為了解決現階段磁控濺射通氣系統中的多種氣體同時進入腔室以及氣體進入腔室中很隨機的分布缺點，而提出的一種用于磁控濺射的以氣體為摻雜源的供氣裝置。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

一種用于磁控濺射的以氣體為摻雜源的供氣裝置，其特征在于：包括供氣環，在供氣環的內壁上均布一組出氣孔，在供氣環內設有環形腔體，在每個出氣孔均與環形腔體連通，在供氣環上還連接進氣管，進氣管連接環形腔體，在供氣環上還連接吊耳。

在上述技術方案的基礎上，可以有以下進一步的技術方案：

在所述供氣環上還連接兩個所述吊耳，兩個吊耳設置在供氣環對稱的位置上。

所述吊耳包括連接在供氣環上的吊板，在吊板上設有折板。

所述出氣孔設置在供氣環同于橫截面上。

本發明的優點在于：本裝置克服了現有供氣系統中氣體分布不均勻，離化程度不高，摻雜量達不到目標值以及不能進行定量分析等缺陷，有效促進摻雜氣體源進行離子化，提高了氣體的利用率，提高摻雜量，達到有效進行摻雜完成鍍膜的目的，同時還能精準進行定量分析，為多元素摻雜磁控濺射的進一步研究開發提供了一個更好的精確方案。

附圖說明

圖1是本發明的基本結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明更加清楚明白，以下結合附圖對本裝置詳細說明，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如圖1所示，本發明提供的一種用于磁控濺射的以氣體為摻雜源的供氣裝置，包括供氣環1，供氣環1根據實際需要制定成所需的環形結構，本方案優選為圓環形，在供氣環1的內壁2上均布一組出氣孔3，出氣孔3設置在供氣環1同于橫截面上，在供氣環1內設有環形腔體，在每個出氣孔3均與環形腔體連通，在供氣環1上還連接進氣管4，進氣管4連接環形腔體，通過氣體的均勻釋放，達到摻雜的均勻性，在供氣環1上還連接吊耳5。

在所述供氣環1上還連接兩個所述吊耳5，兩個吊耳5設置在供氣環1對稱的位置上，吊耳5包括連接在供氣環1上的吊板，在吊板上設有折板。

在進行以氣體為摻雜源鍍膜時，特別像氮氣這樣不易離化、不易摻雜的氣體，能夠使氮氣離子化和摻雜到薄膜中的幾率大大提高，同時也可節省氣體。對整個樣品臺形成一個包圍圈的作用，這樣以更利用氣體的摻雜。

在使用時利用兩個吊耳5把供氣系統固定于磁控腔室的上腔室蓋上，整個供氣環1固定于樣品臺的正下方或與樣品臺上的襯底材料處于同一水平位置。當進行以氣體為摻雜源的多元素摻雜鍍膜時，把摻雜氣體閥門打開，并設定一定的流量，即可進行定量摻雜鍍膜。