[發明專利]CoolMOS結構在審
| 申請號： | 201711455438.9 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN109980008A | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 沈立;陸宇;周潤寶;沈金龍;程玉華 | 申請（專利權）人： | 上海卓弘微系統科技有限公司;上海芯哲微電子科技股份有限公司;上海北京大學微電子研究院 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漂移區 擊穿電壓 摻雜 制作 制造成本 掩模板 | ||
【權利要求書】：
1.一種CoolMOS結構，包括漂移區以及漂移區中摻雜濃度的分布情況，漂移區是由多次淀積外延層得到的，其特征在于在淀積外延層的時候調節外延層的電阻。
2.如權利要求1所述的CoolMOS結構，其特征在于，該漂移區濃度的階梯性用來提高擊穿電壓。
3.如權利要求1所述的CoolMOS結構，其特征在于，所述漂移區是多次淀積外延層得到的。
4.如權利要求2所述的CoolMOS結構，其特征在于，在每次淀積外延層的時候調節此次外延層的電阻。
5.如權利要求3所述的CoolMOS結構，其特征在于，所述漂移區的濃度是線性變化。
6.如權利要求3所述的CoolMOS結構，其特征在于，CoolMOS器件的漂移區的制作方法不需要增加任何掩模板。
7.如權利要求1所述的CoolMOS結構，其特征在于，所述CoolMOS結構為雙擴散金屬氧化物半導體場效應管結構。
8.如權利要求1所述的CoolMOS結構，其特征在于，所述CoolMOS結構為縱向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管結構。
9.如權利要求1所述的CoolMOS結構，其特征在于，所述CoolMOS是由BCD工藝實現的。
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