[發明專利]平面雪崩光電二極管

在審

• 申請號: 201711451881.9
• 申請日: 2013-05-17
• 公開（公告）號: CN108075010A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 巴里·萊維尼
• 申請（專利權）人: 派克米瑞斯有限責任公司
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種雪崩光電二極管，包括：

第一半導體層；

與所述第一半導體層相鄰的倍增層；

與所述倍增層相鄰、與所述第一半導體層相對的電荷控制層；

第二半導體層，所述第二半導體層是低摻雜的或非故意摻雜的，所述第二半導體層與所述電荷控制層相鄰，其中所述第二半導體層在所述電荷控制層的與所述倍增層相對的一側；

梯度吸收層，與所述第二半導體層相鄰，其中所述梯度吸收層在所述第二半導體層的與所述第一半導體層相對的一側，所述梯度吸收層是摻雜的并且與所述第二半導體層直接接觸；以及

阻擋層，定位為與所述梯度吸收層相鄰，其中所述阻擋層在所述梯度吸收層的與所述第二半導體層相對的一側，所述阻擋層與所述梯度吸收層直接接觸，并且

其中所述梯度吸收層被刻蝕以在與所述梯度吸收層直接接觸的所述第二半導體層的頂部上限定小面積吸收區域，并且

所述梯度吸收層的截面寬度小于所述電荷控制層和倍增層的截面寬度，其中所述電荷控制層和倍增層的截面寬度基本相等。

2.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，進一步包括位于所述電荷控制層和所述第二半導體層之間的數字梯度層。

3.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其中所述第一半導體層由磷化銦構成。

4.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其中所述倍增層由砷化銦鋁構成。

5.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其中所述梯度吸收層由砷化銦鎵構成。

6.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，進一步包括與所述第一半導體層相鄰的第一接觸部。

7.如權利要求6所述的雪崩光電二極管，進一步包括與所述第二半導體層的頂部上的所述小面積吸收區域相鄰的第二接觸部。

8.如權利要求7所述的雪崩光電二極管，其中所述雪崩光電二極管的至少一部分被鈍化結構鈍化。

9.如權利要求8所述的雪崩光電二極管，其中所述鈍化結構由苯并環丁烯構成。