[發明專利]勢壘金屬結構及勢壘金屬結構的制造方法在審
| 申請號： | 201711451462.5 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109979992A | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 朱家從;甘新慧;蔣正勇;張偉民;楊萬青;齊從明 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/08 | 分類號： | H01L29/08;H01L29/417;H01L21/04 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 勢壘金屬 金屬氮化 金屬鈦層 鈦層 鋁金屬層 濕法腐蝕 腐蝕 形貌 干法刻蝕過程 氮化鈦層 結構支持 金屬側壁 穩定金屬 有效解決 常溫下 氮化鋁 鈍化層 襯底 刻蝕 制造 保證 覆蓋 | ||
1.一種勢壘金屬結構，設于襯底上，其特征在于，包括：
第一金屬鈦層，設于所述襯底上；
金屬氮化鈦層，設于所述第一金屬鈦層上；
第二金屬鈦層，設于所述金屬氮化鈦層上；
鋁金屬層，設于所述第二金屬鈦層上。
2.根據權利要求1所述的勢壘金屬結構，其特征在于，所述襯底為碳化硅襯底。
3.根據權利要求1所述的勢壘金屬結構，其特征在于，所述第二金屬鈦層的厚度范圍為[20nm，500nm]。
4.根據權利要求1所述的勢壘金屬結構，其特征在于，所述第一金屬鈦層的厚度范圍為[100nm，500nm]，所述金屬氮化鈦層的厚度范圍為[20nm，300nm]，所述鋁金屬層的厚度范圍為[300nm，5000nm]。
5.根據權利要求1所述的勢壘金屬結構，其特征在于，所述鋁金屬層是純鋁金屬層或摻雜鋁金屬層。
6.根據權利要求5所述的勢壘金屬結構，其特征在于，所述摻雜鋁金屬層為摻雜硅和/或銅的摻雜鋁金屬層，所述摻雜鋁金屬層中鋁的摩爾分數大于95％。
7.一種勢壘金屬結構的制造方法，其特征在于，包括：
形成第一金屬鈦層；
在所述第一金屬鈦層上形成金屬氮化鈦層；
在所述金屬氮化鈦層上形成第二金屬鈦層；
在所述第二金屬鈦層上形成鋁金屬層，所述第一金屬鈦層、金屬氮化鈦、第二金屬鈦層及鋁金屬層組成所述勢壘金屬結構；
濕法腐蝕所述勢壘金屬結構，形成所需的勢壘金屬結構圖案。
8.根據權利要求7所述的勢壘金屬結構的制造方法，其特征在于，所述形成第一金屬鈦層的步驟之前還包括形成碳化硅襯底的步驟，所述第一金屬鈦層是形成在所述碳化硅襯底上。
9.根據權利要求7所述的勢壘金屬結構的制造方法，其特征在于，所述在所述第一金屬鈦層上形成金屬氮化鈦層的步驟包括：通過通入氮氣并第一次磁控濺射鈦靶的方式，在所述第一金屬鈦層上淀積金屬氮化鈦層；所述在所述金屬氮化鈦層上形成第二金屬鈦層的步驟包括：
通過第二次磁控濺射鈦靶的方式，在所述金屬氮化鈦層上淀積第二金屬鈦層。
10.根據權利要求7所述的勢壘金屬結構的制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕所述勢壘金屬結構的步驟，是使用醋酸、磷酸及硝酸的混合液腐蝕所述鋁金屬層，并使用氨水和雙氧水的混合液腐蝕所述第一金屬鈦層、金屬氮化鈦層及第二金屬鈦層。
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