[發(fā)明專利]恒流器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711442368.3 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108183128A | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 喬明;肖家木;賴春蘭;李路;方冬;張波 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/73;H01L27/082 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖歡;葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 恒流器件 內(nèi)氧化層 通過槽 元胞區(qū) 終端區(qū) 襯底 耐壓 元胞 隔離 隔離可靠性 邊緣缺陷 反向電壓 器件元胞 依次連接 槽側(cè)壁 熱過程 上表面 氧化層 厚場 推結(jié) 氧層 制造 施加 終端 擴散 | ||
1.一種恒流器件,包括元胞區(qū)和終端區(qū)兩個部分,所述元胞區(qū)包括多個結(jié)構(gòu)相同并依次連接的元胞,每個元胞包括P型摻雜襯底(2)、N型外延層(3),位于N型外延層(3)之中的擴散P型阱區(qū)(4),所述擴散P型阱區(qū)(4)為兩個并分別位于每個元胞的兩端,位于擴散P型阱區(qū)(4)之中的第一P型重摻雜區(qū)(5)和N型重摻雜區(qū)(7),第一P型重摻雜區(qū)(5)位于N型重摻雜區(qū)(7)的兩側(cè),N型外延層(3)和擴散P型阱區(qū)(4)上表面設(shè)有氧化層(10),擴散P型阱區(qū)(4)上表面與氧化層(10)之間設(shè)有N型耗盡型溝道區(qū)(6),元胞區(qū)還包括覆蓋整個元胞上表面的金屬陰極(9)、位于P型摻雜襯底(2)下表面的第二P型重摻雜區(qū)(51)、位于第二P型重摻雜區(qū)(51)下表面的金屬陽極(8),所述第一P型重摻雜區(qū)(5)、N型重摻雜區(qū)(7)和金屬陰極(9)形成歐姆接觸,所述第二P型重摻雜區(qū)(51)和金屬陽極(8)形成歐姆接觸,其特征在于:所述終端區(qū)包括經(jīng)熱過程形成的槽內(nèi)氧化層(13),位于N型外延層(3)上表面的厚場氧層(11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流器件,其特征在于:所述終端區(qū)包括槽注入后經(jīng)熱過程推結(jié)在槽的四周圍形成的P型摻雜區(qū)(21)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流器件,其特征在于:終端區(qū)還包括位于元胞區(qū)內(nèi)部邊緣的P型摻雜ring區(qū)(41),整個器件最外圍的擴散P型阱區(qū)(4)和P型摻雜ring區(qū)(41)連成一體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的恒流器件,其特征在于:終端區(qū)還包括位于元胞區(qū)內(nèi)部邊緣的P型摻雜ring區(qū)(41),整個器件最外圍的擴散P型阱區(qū)(4)和P型摻雜ring區(qū)(41)連成一體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流器件,其特征在于:所述恒流器件中各摻雜類型相應(yīng)變?yōu)橄喾吹膿诫s,即P型摻雜變?yōu)镹型摻雜的同時,N型摻雜變?yōu)镻型摻雜。
6.權(quán)利要求1所述的恒流器件的制造方法,其特征在于:所述恒流器件通過在終端區(qū)引入槽,利用槽內(nèi)氧化層耐壓,使得元胞區(qū)與器件邊緣缺陷通過介質(zhì)相隔離,實現(xiàn)正向恒流、反向耐高壓。
7.權(quán)利要求2所述的恒流器件的制造方法,其特征在于:所述恒流器件通過在終端區(qū)引入槽,并對槽的四周圍進行P型雜質(zhì)注入形成的P型摻雜區(qū)(21),使得元胞區(qū)與器件邊緣缺陷通過PN結(jié)隔離的方式相隔離,實現(xiàn)正向恒流、反向耐高壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711442368.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:太陽能單晶硅片、加工方法及其應(yīng)用
- 下一篇:恒流器件及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





