[發明專利]一種二硫硒化錫單晶半導體材料的制備方法在審
| 申請號： | 201711441687.2 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108103580A | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發明（設計）人： | 陳廣福;黎永濤;胡亦淵;牟中飛;李京波 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 510006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶半導體材料 硫硒 硫化錫粉末 石英管 硫粉 硒粉 化學氣相沉積 管式爐 制備 半導體材料 惰性氣體條件 微納電子器件 超薄單晶 工藝條件 塊體單晶 進氣端 邊長 二維 沉積 保溫 應用 | ||
1.一種二硫硒化錫單晶半導體材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a)分別將二硫化錫粉末、硒粉和硫粉置于化學氣相沉積管式爐的石英管內，所述硒粉和硫粉置于所述石英管的進氣端，所述二硫化錫粉末置于所述石英管的中部；
b)在惰性氣體條件下，將管式爐升溫至620～750℃，保溫3～30分鐘，生成二硫硒化錫單晶半導體材料。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，二硫化錫粉末、硒粉與硫粉的質量比為(0.05～0.3)∶(0.05～1)∶(0.05～1)。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中，提供所述惰性氣體條件的惰性氣體流量為1～10sccm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中，升溫的速率為≥22℃/min。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，二硫化錫粉末在石英管中的位置為石英管中心點±3cm處。
6.根據權利要求1或5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，硒粉距石英管中心點的距離為10～12cm，硫粉距石英管中心點的距離為11～13cm。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，硒粉距石英管中心點的距離小于硫粉距石英管中心點的距離。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述二硫化錫粉末上方設有襯底，在所述襯底表面沉積生成二硫硒化錫單晶半導體材料。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述襯底包括氧化硅襯底、硅片襯底、氧化硅-硅片復合襯底、云母襯底、藍寶石襯底中的一種或幾種。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述氧化硅-硅片復合襯底中氧化硅的厚度為10～350nm。
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