[發(fā)明專利]MEMS聲學(xué)傳感器的噪音抑制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711432431.5 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN108337616B | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 端木魯玉;徐香菊;王德信 | 申請（專利權(quán)）人： | 濰坊歌爾微電子有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/00 | 分類號： | H04R19/00 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人： | 袁文婷;張寧 |
| 地址： | 261031 山東省濰坊市高新區(qū)新城*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 聲學(xué) 傳感器 噪音 抑制 方法 | ||
1.一種MEMS聲學(xué)傳感器的噪音抑制方法，包括：
MEMS聲學(xué)傳感器對聲學(xué)MEMS芯片上電；
通過設(shè)置在所述MEMS聲學(xué)傳感器的封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的感應(yīng)口，檢測所述聲學(xué)MEMS芯片是否處于工作狀態(tài)；其中，
當(dāng)所述感應(yīng)口檢測到所述聲學(xué)MEMS芯片處于非工作狀態(tài)時，設(shè)置在第二ASIC芯片的發(fā)熱功率模塊為間歇性工作模式；
當(dāng)所述感應(yīng)口檢測到所述聲學(xué)MEMS芯片處于工作狀態(tài)時，所述發(fā)熱功率模塊由間歇性工作模式轉(zhuǎn)換為持續(xù)性工作模式。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS聲學(xué)傳感器的噪音抑制方法，其中，
所述封裝結(jié)構(gòu)由外殼和PCB板形成，其中，所述聲學(xué)MEMS芯片、所述第二ASIC芯片設(shè)置在所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，并且，在所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部還設(shè)置有第一ASIC芯片和第二MEMS芯片。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS聲學(xué)傳感器的噪音抑制方法，其中，
所述感應(yīng)口設(shè)置在所述第一ASIC芯片與所述第二ASIC芯片之間。
4.如權(quán)利要求2所述的MEMS聲學(xué)傳感器的噪音抑制方法，其中，
在所述PCB板上設(shè)置有使所述聲學(xué)MEMS芯片與外部連通的聲孔。
5.如權(quán)利要求2所述的MEMS聲學(xué)傳感器的噪音抑制方法，其中，
所述第一ASIC芯片通過金屬線分別與所述聲學(xué)MEMS芯片、所述第二ASIC芯片、所述PCB板電連接。
6.如權(quán)利要求2所述的MEMS聲學(xué)傳感器的噪音抑制方法，其中，
所述聲學(xué)MEMS芯片、所述第二MEMS芯片、所述第一ASIC芯片以及所述第二ASIC芯片均通過粘片膠固定在所述PCB板上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于濰坊歌爾微電子有限公司，未經(jīng)濰坊歌爾微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711432431.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 用于語音識別的聲學(xué)模型訓(xùn)練方法及裝置
- 具有集成聲學(xué)發(fā)生器的聲學(xué)發(fā)射傳感器
- 聲學(xué)發(fā)射傳感器裝置
- 一種基于空間折疊聲學(xué)超材料的單傳感器聲學(xué)相機
- 聲學(xué)環(huán)境中的聲學(xué)信號的基于上下文的消除和放大
- 聲學(xué)結(jié)構(gòu)和聲學(xué)系統(tǒng)
- 具有外放和私密操作模式的可穿戴個人聲學(xué)設(shè)備
- 聲換能器系統(tǒng)
- 一種聲學(xué)模型的訓(xùn)練方法、裝置以及計算機可讀存儲介質(zhì)
- 一種基于聲學(xué)暗室的聲學(xué)相位中心校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)
