[發(fā)明專利]一種銅基表面的防鼠咬沉錫液、其化學(xué)沉錫方法及其防鼠咬銅基板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711429526.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108754466B | 公開(公告)日: | 2023-01-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳昌根 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市德瑞勤科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C18/48 | 分類號(hào): | C23C18/48;C23C18/18;C23C18/31;H05K3/34 |
| 代理公司: | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 趙徐平 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 表面 防鼠咬沉錫液 化學(xué) 方法 及其 防鼠咬銅基板 | ||
1.一種銅基表面的防鼠咬沉錫液,其特征在于:所述防鼠咬沉錫液由以下組分組成:提供Sn2+離子的錫源,所述Sn2+離子的濃度為25g/L~100g/L; 與錫源有著相同陰離子的有機(jī)酸,所述有機(jī)酸的濃度為25mL/L~100mL/L; 復(fù)合有機(jī)酸,所述復(fù)合有機(jī)酸的濃度為200g/L~400g/L; 錫銅反電位劑,所述錫銅反電位劑的濃度為30g/L~60g/L; 提供Ag+離子的銀源,所述Ag+離子的濃度為15ppm~50ppm;
所述錫源選自甲基磺酸亞錫;所述有機(jī)酸選自甲基磺酸;所述復(fù)合有機(jī)酸為檸檬酸和乙基磺酸的組合;所述錫銅反電位劑選自硫脲;所述Ag+離子是由銀和硝酸反應(yīng)制備得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅基表面的防鼠咬沉錫液,其特征在于:所述Sn2+離子的濃度為25g/L~75g/L;所述有機(jī)酸的濃度為25mL/L~75mL/L;所述復(fù)合有機(jī)酸的濃度為200g/L~300g/L;所述錫銅反電位劑的濃度為40g/L~60g/L;所述Ag+離子的濃度為15ppm~40ppm。
3.一種基于權(quán)利要求1-2任一所述的銅基表面的防鼠咬沉錫液的化學(xué)沉錫方法,其特征在于:所述化學(xué)沉錫方法包括以下步驟: (1)除油,將銅基板進(jìn)行除油并沖洗干凈; (2)微蝕,利用微蝕刻組合物對(duì)經(jīng)步驟(1)除油后的銅基板進(jìn)行微蝕刻,以蝕刻銅基板表面且獲得所需的表面紋理,并沖洗干凈; (3)預(yù)浸,將經(jīng)步驟(2)微蝕后的銅基板與預(yù)浸組合物接觸,并在露銅表面沉積一層薄錫,所述預(yù)浸組合物里不含有銀離子; (4)沉錫,將經(jīng)步驟(3)沉積了薄錫的銅基板與如權(quán)利要求1-2任一所述的沉錫液接觸,根據(jù)需要沉積到要求的厚度;
(5)清洗并干燥,得產(chǎn)品。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)沉錫方法,其特征在于:步驟(2)中的所述微蝕刻組合物為酸和氧化劑的組合物,所述氧化劑為過(guò)氧化氫或過(guò)硫酸鹽。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)沉錫方法,其特征在于:步驟(3)中的所述薄錫的厚度為0.05-0.1微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)沉錫方法,其特征在于:步驟(4)中的沉錫液不含硫酸,且沉錫液的酸度為5~7N。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)沉錫方法,其特征在于:步驟(4)中的沉積時(shí)間為5~25分鐘,沉積厚度為0.3~1.5微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)沉錫方法,其特征在于:所述沉積厚度為0.8~1.5微米。
9.一種基于權(quán)利要求3-8任一所述的化學(xué)沉錫方法得到的防鼠咬銅基板,其特征在于:所述防鼠咬銅基板具有表面的銅基板或有綠油覆蓋的部分裸露銅面的基板;及在基板表面上的錫鍍層,所述錫鍍層的厚度為0.3~1.5微米;以及抗銅-錫金屬間化合物形成性的合金層,所述合金層的銀離子的含量為0.5-2.5wt%;所述防鼠咬銅基板的孔環(huán)和側(cè)蝕位置的鼠咬深度小于4.1微米。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過(guò)液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無(wú)電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無(wú)電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理
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