[發明專利]一種分階段實時調控SiC晶體生長界面溫度和溫度梯度的方法在審
| 申請號： | 201711421747.4 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN108130594A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 高攀;忻雋;施爾畏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長階段 分階段 上移 坩堝 晶體生長界面 實時調控 溫度梯度 坩堝位置 時長 生長 晶體生長過程 晶體生長原料 物理氣相傳輸 碳化硅單晶 籽晶 | ||
1.一種分階段實時調控碳化硅晶體生長過程中生長界面溫度和溫度梯度的方法，其特征在于，
采用物理氣相傳輸方法在裝有晶體生長原料和籽晶的坩堝內生長碳化硅單晶，晶體生長過程中分階段上移坩堝位置，
在第一生長階段，生長時長為t1，保持坩堝位置不變，
在第i生長階段，生長時長ti=i×t1，且坩堝平均上移速率
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，t1為5～15小時，優選為10小時。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，設生長的晶體厚度為h，總生長階段數為n，生長總時間為t，則h/4t ≤
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，總生長階段數≥2，優選為≥4。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，生長的晶體的厚度大于10mm，優選為15～50mm，生長總時間大于50小時，優選為50～200小時。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述坩堝為石墨坩堝。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述坩堝外部采用保溫氈包裹。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，通過坩堝底部的傳遞裝置移動裝有坩堝的保溫桶或單獨移動坩堝，或者通過上部機械裝置移動籽晶蓋位置來移動坩堝。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其特征在于，所述物理氣相傳輸方法的工藝參數包括：將晶體生長爐的真空度抽至1.0×10-2 Pa以下，充氬氣至生長壓強為5～40Torr，調節溫度至2000～2400℃。
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