[發(fā)明專利]一種GOA電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711421638.2 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN107993627A | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳帥 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/36 | 分類號： | G09G3/36 |
| 代理公司： | 深圳匯智容達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊賢卿 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 goa 電路 | ||
1.一種GOA電路，其特征在于，包括多個級聯(lián)的GOA單元，第N級GOA單元包括：上拉控制單元(1)、上拉單元(2)、信號下傳單元(3)、第一下拉維持單元(4)、穩(wěn)壓單元(5)；其中，N為正整數(shù)；
所述上拉控制單元(1)包括第一薄膜晶體管(T11)，所述上拉單元(2)包括第二薄膜晶體管(T21)，所述信號下傳單元(3)包括第三薄膜晶體管(T22)，所述第一下拉維持單元(4)包括第四薄膜晶體管(T32)和第五薄膜晶體管(T42)；
所述第一薄膜晶體管(T11)的柵極和漏極分別接入第N-1級上拉控制信號(ST(N-1))和第N-1級柵極信號(G(N-1))，所述第一薄膜晶體管(T11)的源極與所述第五薄膜晶體管(T42)的源極、所述第二薄膜晶體管(T21)的柵極以及所述第三薄膜晶體管(T22)的柵極連接于第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))；
所述第二薄膜晶體管(T21)的漏極和所述第三薄膜晶體管(T22)的漏極均接入時鐘信號，且所述第三薄膜晶體管(T22)的源極輸出第N級上拉控制信號(ST(N))，所述第二薄膜晶體管(T21)的源極作為第N級柵極信號(G(N))的輸出端；
所述第四薄膜晶體管(T32)的漏極以及所述第五薄膜晶體管(T42)的漏極均接入恒壓低電平信號，且所述第四薄膜晶體管(T32)的源極與所述第二薄膜晶體管(T21)的源極連接；
所述穩(wěn)壓單元(5)，與所述第一下拉維持單元(4)連接，用于在所述第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))為高電位時，控制所述第四薄膜晶體管(T32)和所述第五薄膜晶體管(T42)均關(guān)斷，且當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)為低電位時，控制所述第四薄膜晶體管(T32)和所述第五薄膜晶體管(T42)打開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GOA電路，其特征在于，所述第N級GOA單元還包括：第二下拉維持單元(6)，所述第二下拉維持單元(6)包括第六薄膜晶體管(T33)和第七薄膜晶體管(T43)，所述第六薄膜晶體管(T33)和所述第七薄膜晶體管(T43)的漏極均接入恒壓低電平信號，所述第七薄膜晶體管(T43)的源極與所述第三薄膜晶體管(T22)的柵極連接，所述第六薄膜晶體管(T33)的源極與所述第二薄膜晶體管(T21)的源極連接；
所述穩(wěn)壓單元(5)還與所述第二下拉維持單元(6)連接，用于在所述第一節(jié)點(diǎn)為高電位時，控制所述第六薄膜晶體管(T33)和所述第七薄膜晶體管(T43)均關(guān)斷，當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)為低電位時，控制所述第六薄膜晶體管(T33)和所述第七薄膜晶體管(T43)打開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GOA電路，其特征在于，所述第N級GOA單元還包括第一反相器(7)和第二反相器(8)；
所述第一反相器(7)的輸入端與所述第一薄膜晶體管(T11)的源極連接，所述第一反相器(7)的輸出端與所述第四薄膜晶體管(T32)的柵極和所述第五薄膜晶體管(T42)的柵極連接；
所述第二反相器(8)的輸入端與所述第一薄膜晶體管(T11)的源極連接，所述第二反相器(8)的輸出端與所述第六薄膜晶體管(T33)的柵極和所述第七薄膜晶體管(T43)的柵極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GOA電路，其特征在于，所述第一反相器(7)包括第八薄膜晶體管(T51)、第九薄膜晶體管(T52)、第十薄膜晶體管(T53)以及第十一薄膜晶體管(T54)；
所述第八薄膜晶體管(T51)的柵極和漏極以及所述第十薄膜晶體管(T53)的漏極接入第一下拉控制信號(LC1)，所述第第八薄膜晶體管(T51)的源極與所述第十薄膜晶體管(T53)的柵極以及所述第九薄膜晶體管(T52)的源極連接，所述第十薄膜晶體管(T53)的源極與所述第十一薄膜晶體管(T54)的源極、所述第四薄膜晶體管(T32)的柵極和第五薄膜晶體管(T42)的柵極連接于第二節(jié)點(diǎn)(P(N))；
所述第九薄膜晶體管(T52)的柵極以及第十一薄膜晶體管(T54)的柵極均與所述第一薄膜晶體管(T11)的源極連接，且所述第九薄膜晶體管(T52)的漏極以及第十一薄膜晶體管(T54)的漏極均接入恒壓低電平信號。
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