[發(fā)明專利]一種防止直面等離子體部分溫度過高的核聚變第一壁在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711420722.2 | 申請日： | 2017-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109961856A | 公開（公告）日： | 2019-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭智穎;李彪;鄭鑫;王悅;蔡偉華;王璐 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | G21B1/13 | 分類號： | G21B1/13 |
| 代理公司： | 哈爾濱市陽光惠遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211 | 代理人： | 鄧宇 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 第一壁 等離子體 核聚變 直面 溫度過高 材料層 導(dǎo)熱系數(shù) 保護(hù)層 熱系數(shù) 核聚變反應(yīng)裝置 溫度分布均勻 核聚變裝置 熱量轉(zhuǎn)移 外壁表面 熱應(yīng)力 壁面 壁體 覆蓋 減小 外壁 側(cè)面 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種防止直面等離子體部分溫度過高的核聚變第一壁，其特征在于，所述核聚變第一壁(1)的外壁表面覆蓋一層展向?qū)嵯禂?shù)高于沿厚度方向?qū)嵯禂?shù)的材料層(2)；所述材料層(2)外表面在直面等離子體的壁面上還設(shè)有一層均勻的保護(hù)層(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止直面等離子體部分溫度過高的核聚變第一壁，其特征在于，所述材料層(2)的材料為合成石墨片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止直面等離子體部分溫度過高的核聚變第一壁，其特征在于，所述材料層(2)的厚度為0.017mm～0.050mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止直面等離子體部分溫度過高的核聚變第一壁，其特征在于，所述材料層(2)的厚度為0.017mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止直面等離子體部分溫度過高的核聚變第一壁，其特征在于，所述保護(hù)層(3)的材料為碳、鎢或鈹。
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