[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201711417986.2
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108242382B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 盧泳辰;金京善;沈承輔;李镕祐;任志洙;崔原榮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

一種等離子體處理裝置包括：支撐晶片的靜電卡盤；設置為圍繞晶片的外周表面的調節環；設置為圍繞調節環的外周表面的絕緣環；以及支撐調節環的下部分和絕緣環的下部分的邊緣環，邊緣環與靜電卡盤間隔開并且圍繞靜電卡盤的外周表面；其中邊緣環包括在其中容納流體的流道。

技術領域

實施方式涉及等離子體處理裝置。

背景技術

用于通過使用等離子體促進期望的化學反應(沉積、蝕刻等等)的系統已經被用于諸如半導體LCD和LED的產業中。

使用等離子體的系統可以包括在其中執行工藝的腔室、產生等離子體的源、保持腔室內的高真空的泵和壓力控制器、以及在支撐和固定待被處理的物體的同時調整待被處理的物體的溫度和等離子體能量的支撐環、靜電卡盤(ESC)、和電極。調節環(focus ring)和圍繞調節環的外周表面的絕緣環可以設置在待被處理的物體(例如半導體晶片)的邊緣的外圍。

發明內容

實施方式可以通過提供一種等離子體處理裝置來實現，該等離子體處理裝置包括：支撐晶片的靜電卡盤；設置為圍繞晶片的外周表面的調節環；設置為圍繞調節環的外周表面的絕緣環；以及支撐調節環的下部分和絕緣環的下部分的邊緣環，邊緣環與靜電卡盤間隔開并且圍繞靜電卡盤的外周表面；其中邊緣環包括在其中容納流體的流道。

實施方式可以通過提供一種等離子體處理裝置來實現，該等離子體處理裝置包括：被供給有等離子體的等離子體腔室；設置在等離子體腔室中并支撐晶片的靜電卡盤；與靜電卡盤間隔開的邊緣環，邊緣環圍繞靜電卡盤的外周表面并且包括在其中容納流體的流道；圍繞晶片的外周表面并且設置在邊緣環上的調節環；以及用于控制在邊緣環的流道中容納的流體的供給的流體控制器，其中邊緣環和靜電卡盤形成電容器，并且流體控制器控制在邊緣環中容納的流體的量和溫度。

實施方式可以通過提供一種等離子體處理裝置來實現，該等離子體處理裝置包括：晶片可支撐在其上的靜電卡盤；調節環，圍繞在該處晶片將被支撐的位置的外周表面；圍繞調節環的外周表面的絕緣環；以及支撐調節環和絕緣環的邊緣環，邊緣環與靜電卡盤間隔開并且圍繞靜電卡盤的外周表面；其中邊緣環包括流體可流動通過的流道。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施方式，特征對于本領域的普通技術人員來說將明顯，在圖中：

圖1示出根據本公開的一實施方式的等離子體處理裝置的剖視圖；

圖2示出圖1的A的放大剖視圖；

圖3示出示意圖，顯示了根據本公開的一實施方式的等離子體處理裝置中包括的邊緣環的操作；

圖4示出示意圖，顯示了根據本公開的另一實施方式的等離子體處理裝置中包括的邊緣環的操作；

圖5示出示意圖，顯示了由根據本公開的一實施方式的等離子體處理裝置組成的電路；

圖6示出電路圖，顯示了由根據圖5的等離子體處理裝置組成的電路；

圖7示出示意圖，顯示了由于由根據本公開的一些實施方式的等離子體處理裝置組成的電路的調節環(focus ring)的蝕刻而引起的狀態改變；

圖8示出示意圖，顯示了根據本公開的一實施方式的等離子體處理裝置的操作；

圖9示出示意圖，顯示了根據本公開的另一實施方式的等離子體處理裝置的操作；

圖10示出示意圖，顯示了在根據本公開的一些實施方式的等離子體處理裝置中包括的邊緣環中提供的流道；以及

圖11示出示意圖，顯示了根據本公開的再一個實施方式的等離子體處理裝置的操作。

具體實施方式

在下文，根據本公開的一實施方式的等離子體處理裝置將參考圖1至11被描述。