[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711416853.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN108630629A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹盛載;千成鐘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/60
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;馬翠平

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。所述半導(dǎo)體封裝件包括：接地電極，形成在基板的上表面上；第一電子組件，設(shè)置在所述基板的所述上表面上；密封構(gòu)件，密封所述電子組件；以及屏蔽構(gòu)件，圍住所述第一電子組件并設(shè)置在所述密封構(gòu)件中。

本申請(qǐng)要求于2017年3月23日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2017-0036739號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用被包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

以下描述涉及一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)電磁干擾(EMI)或電磁敏感性(EMS)特性，能夠耐受高頻信號(hào)的諸如通信模塊或網(wǎng)絡(luò)模塊的小型高頻半導(dǎo)體封裝件通常具有各種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。

在通常的高頻半導(dǎo)體封裝件中，單個(gè)裝置安裝在基板上，然后通過樹脂被包封以保護(hù)密封構(gòu)件中的單個(gè)裝置。通常，用于在密封構(gòu)件的外表面上形成屏蔽構(gòu)件的結(jié)構(gòu)被用作用于高頻屏蔽的結(jié)構(gòu)。

這種傳統(tǒng)的屏蔽構(gòu)件通常電連接到基板的接地圖案。由于基板的接地圖案和屏蔽構(gòu)件的連接部通過非常精細(xì)的圖案形成，因此連接部可能會(huì)容易由于沖擊等被損壞。

發(fā)明內(nèi)容

提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡(jiǎn)化形式介紹選擇的構(gòu)思，以下在具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容并不意在確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

在一個(gè)總體方面，一種半導(dǎo)體封裝件包括：接地電極，形成在基板的上表面上；第一電子組件，設(shè)置在所述基板的所述上表面上；密封構(gòu)件，密封所述電子組件；以及屏蔽構(gòu)件，圍住所述第一電子組件并設(shè)置在所述密封構(gòu)件中。

所述密封構(gòu)件可包括設(shè)置在所述屏蔽構(gòu)件內(nèi)部的內(nèi)密封構(gòu)件和設(shè)置在所述屏蔽構(gòu)件外部的外密封構(gòu)件。

所述接地電極的一部分可暴露到所述內(nèi)密封構(gòu)件外部，并且所述接地電極可連接到所述屏蔽構(gòu)件。

所述屏蔽構(gòu)件可與所述電子組件和所述接地電極面接觸。

第二電子組件可設(shè)置在所述屏蔽構(gòu)件外部。

所述第一電子組件可使用倒裝芯片鍵合法安裝在所述基板上。所述屏蔽構(gòu)件的一部分可設(shè)置在所述第一電子裝置的無效表面上。

在一個(gè)總體方面，一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法包括：在設(shè)置于基板上的接地電極上設(shè)置電子組件；使用內(nèi)密封構(gòu)件部分地填埋所述電子組件；使用屏蔽構(gòu)件圍住所述電子組件和所述內(nèi)密封構(gòu)件；以及使用外密封構(gòu)件填埋所述屏蔽構(gòu)件。

可使用濺射法或氣相沉積法設(shè)置所述屏蔽構(gòu)件。

形成所述內(nèi)密封構(gòu)件的步驟可包括：使用密封構(gòu)件完全填埋所述電子組件和所述接地電極；以及部分地去除所述密封構(gòu)件，以使所述電子組件和所述接地電極暴露。

去除所述密封構(gòu)件的步驟可包括通過打磨所述密封構(gòu)件使所述電子組件的無效表面暴露。

去除所述密封構(gòu)件的步驟可包括使用激光鉆孔法或蝕刻法使所述接地電極暴露。

可沿著所述內(nèi)密封構(gòu)件、所述電子組件的表面以及暴露到所述內(nèi)密封構(gòu)件外部的所述接地電極來設(shè)置所述屏蔽構(gòu)件。

安裝所述電子組件的步驟可包括使用倒裝芯片鍵合法使具有裸片形式的所述電子組件結(jié)合到所述基板。

所述半導(dǎo)體封裝件可包括彼此相鄰設(shè)置并共享同一基板的多個(gè)半導(dǎo)體封裝件。

所述方法還可包括切割共享的所述同一基板，以形成單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件。

通過以下具體實(shí)施方式、附圖以及權(quán)利要求，其他特征和方面將顯而易見。

附圖說明