[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201711416853.3
• 申請日: 2017-12-25
• 公開（公告）號: CN108630629A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 尹盛載;千成鐘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/60
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;馬翠平

1.一種半導體封裝件，包括：

基板；

接地電極，設置在所述基板的上表面上；

至少一個電子組件，設置在所述基板的所述上表面上；

密封構件，密封所述電子組件；以及

屏蔽構件，圍住所述電子組件并設置在所述密封構件中。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述密封構件包括設置在所述屏蔽構件內部的內密封構件和設置在所述屏蔽構件外部的外密封構件。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，所述接地電極的一部分暴露到所述內密封構件外部，并且所述接地電極連接到所述屏蔽構件。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述屏蔽構件與所述電子組件和所述接地電極面接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括設置在所述屏蔽構件外部的至少一個電子組件。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，

其中，所述電子組件使用倒裝芯片鍵合法安裝在所述基板上，并且

其中，所述屏蔽構件的一部分設置在所述電子組件的無效表面上。

7.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：

在設置于基板上的接地電極上設置電子組件；

使用內密封構件部分地填埋所述電子組件；

使用屏蔽構件圍住所述電子組件和所述內密封構件；以及

使用外密封構件填埋所述屏蔽構件。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，使用濺射法或氣相沉積法設置所述屏蔽構件。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述內密封構件的步驟包括：

使用密封構件完全填埋所述電子組件和所述接地電極；以及

部分地去除所述密封構件，以使所述電子組件和所述接地電極暴露。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，去除所述密封構件的步驟包括通過打磨所述密封構件使所述電子組件的無效表面暴露。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，去除所述密封構件的步驟包括使用激光鉆孔法或蝕刻法使所述接地電極暴露。

12.根據權利要求7所述的方法，其中，沿著所述內密封構件、所述電子組件的表面以及暴露到所述內密封構件外部的所述接地電極來設置所述屏蔽構件。

13.根據權利要求7所述的方法，其中，安裝所述電子組件的步驟包括使用倒裝芯片鍵合法使具有裸片形式的所述電子組件結合到所述基板。

14.根據權利要求7所述的方法，其中，所述半導體封裝件包括彼此相鄰設置并共享同一基板的多個半導體封裝件。

15.根據權利要求14所述的方法，所述方法還包括切割共享的所述同一基板，以形成單個的半導體封裝件。