[發(fā)明專利]一種表面梯度薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711416464.0 | 申請日: | 2017-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN108179384B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樸鐘宇;周振宇;鄭秋陽;周仁澤;余光磊 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | C23C14/30 | 分類號: | C23C14/30;C23C14/28;C23C14/04;C23C14/58 |
| 代理公司: | 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241 | 代理人: | 王利強;李百玲 |
| 地址: | 310014 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 表面 梯度 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種表面梯度薄膜的制備方法,其特征在于:包括表面梯度薄膜制備裝置,所述表面梯度薄膜制備裝置包括:
實現(xiàn)真空、容納所有部件的真空腔室;
用于放置并輻射靶材的源;
分別控制的、與源數(shù)量匹配的位于源前可實現(xiàn)部分遮蓋的遮板;
用于沉積薄膜的基質(zhì);
置于基質(zhì)背側(cè)、用于加熱的加熱裝置;
所述制備方法還包括以下步驟:
首先將真空腔室抽真空,源內(nèi)的靶材通過坩堝加熱或電子束加熱氣化,成為離散態(tài)的微觀粒子,向四周擴散;在經(jīng)過遮板位置時,部分微觀粒子會被遮擋,通過調(diào)節(jié)遮板的大小、方向來控制經(jīng)過的微觀粒子的含量和擴散的主次方向;通過調(diào)控源內(nèi)靶材的摩爾比,保證沉積到基質(zhì)上薄膜各點厚度的均勻;
至少采用兩個源,遮板可以自由調(diào)整遮罩角度,使各個方向源的輻射強度不同,在被遮罩面到未遮罩面形成線性梯度,或者遮板在制備過程中保持轉(zhuǎn)動,使各個方向源的輻射強度均勻;若遮板遮蓋區(qū)域大小不變,則制備出梯度在有限范圍內(nèi)變化的梯度薄膜,梯度仍遵循線性變化;若控制遮蓋區(qū)域勻速變化,則通過勻速規(guī)律移動基質(zhì),在基質(zhì)表面形成0%~100%多組分橫向梯度變化的薄膜;通過控制基質(zhì)按規(guī)律移動,在基質(zhì)的不同部位進行薄膜加工,最后通過加熱裝置給基質(zhì)加熱進行退火晶化處理。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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