[發明專利]芯片二極管以及雙向齊納二極管芯片

有效

• 申請號: 201711414924.6
• 申請日: 2012-10-16
• 公開（公告）號: CN107946270B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 山本浩貴
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/495;H01L23/522;H01L23/544;H01L27/06;H01L27/07;H01L27/102;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/329;H01L29/861;H01L29/866;H01L29/872
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓聰

1.一種芯片二極管，包括：

多個二極管單元，形成于半導體基板；

并聯連接部，其設于所述半導體基板上，并聯連接所述多個二極管單元，

所述多個二極管單元，分別具有單獨的二極管結區域，

所述并聯連接部包含第1電極，該第1電極形成在所述半導體基板的一側并且具有僅在朝向所述半導體基板的另一側的方向延伸的至少2個延長部，

沿著各所述延長部，形成有至少2個二極管結區域，

在俯視觀察下，所述至少2個延長部形成為線對稱，沿著所述2個延長部形成的至少4個二極管結區域形成為點對稱以及線對稱，

在俯視觀察下，這些二極管結區域的輪廓具有相對于所述延長部的延伸方向傾斜延伸的邊，以使得在所述至少4個二極管結區域的中心形成空間。

2.根據權利要求1所述的芯片二極管，其中，

所述二極管結區域是pn結區域。

3.根據權利要求2所述的芯片二極管，其中，

所述半導體基板由第1導電型的半導體構成，各二極管單元具有形成在所述半導體基板的第2導電型的區域。

4.根據權利要求3所述的芯片二極管，其中，

所述第1電極與所述多個二極管單元中分別設置的所述第2導電型的區域公共連接，

還包括與所述半導體基板電連接的第2電極。

5.根據權利要求4所述的芯片二極管，其中，

還包括形成在所述半導體基板并且比所述半導體基板高雜質濃度的第1導電型區域，所述第2電極與所述第1導電型區域接合。

6.根據權利要求1所述的芯片二極管，其中，

所述二極管結區域是肖特基結區域。

7.根據權利要求6所述的芯片二極管，其中，

所述第1電極具有與所述多個二極管單元的所述肖特基結區域相接的肖特基金屬，

還包括與所述半導體基板電連接的第2電極。

8.根據權利要求4所述的芯片二極管，其中，

所述第1電極以及所述第2電極形成在所述半導體基板的一個表面。

9.根據權利要求5所述的芯片二極管，其中，

所述第1電極以及所述第2電極形成在所述半導體基板的一個表面。

10.根據權利要求7所述的芯片二極管，其中，

所述第1電極以及所述第2電極形成在所述半導體基板的一個表面。

11.根據權利要求1～10的任一項所述的芯片二極管，其中，

所述多個二極管單元的所述二極管結區域形成為相等的大小。

12.根據權利要求1～10的任一項所述的芯片二極管，其中，

各二極管結區域是多邊形區域。

13.根據權利要求1～10的任一項所述的芯片二極管，其中，

所述多個二極管單元形成為相等的大小。

14.根據權利要求1～10的任一項所述的芯片二極管，其中，

所述多個二極管單元以等間隔進行二維排列。

15.根據權利要求1～10的任一項所述的芯片二極管，其中，

所述二極管單元被設置了4個以上。