[發明專利]一種納米晶金屬氧化物復合材料

在審

• 申請號: 201711399623.0
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN109957378A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 孟麗
• 申請（專利權）人: 孟麗
• 主分類號: C09K5/00
• 分類號: C09K5/00;B82Y30/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種納米金屬氧化物復合材料，其特征在于，包括納米晶體和金屬氧化物，該類金屬氧化物具有有機官能團。

2.如權利要求1所述的納米金屬氧化物復合材料，其特征在于，所述金屬氧化物是一種化合物，代表公式為式1：

A-(R¹)_K-O-B 式1

其中A是N，S，COO^-，PO₃H^-，PO₃^2-；R¹至少是含有一個碳原子的烷基基團；B是一個或者是多個-(MO_X)_L-、-(MO_YR²)_M-和-(MO_ZR³R⁴)_N-組成的重復單元，其中M是鋁、鋯、錫、硅、鋅等，R²、R³、R⁴為各自獨立的含有至少一個碳原子的烷基；K為1到20的整數。

3.如權利要求2所述的納米金屬氧化物復合材料，其特征在于，所選的納米晶體包括Ⅱ-Ⅵ族化合物，Ⅲ-V族化合物，Ⅳ-Ⅵ族化合物，Ⅳ族化合物及其混合物的金屬納米晶體或者半導體納米晶體。

4.如權利要求3所述的納米金屬氧化物復合材料，其特征在于，所述Ⅱ-Ⅵ族化合物選自CdSe,CdTe,ZnS,ZnSe,ZnTe,ZnO,HgS和HgZnS中的一種；所述Ⅲ-V族化合物選自GaN,GaP,GaSn和InPSn中的一種，Ⅳ-Ⅵ族化合物包括SnS,SnSe,PbSTe,SnPbSeTe中的一種，Ⅳ族化合物Si,Ge,SiC,SiGe。

5.如權利要求1-4任一項所述的納米金屬氧化物復合材料，其特征在于，所述納米晶體被疏水表面活性劑包圍。