[發明專利]一種寬頻單片集成式功率放大電路

在審

• 申請號: 201711386026.4
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN107872202A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 毛鍇;曾明輝
• 申請（專利權）人: 深圳市芯瀾電子技術有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/32;H03F3/21;H03F3/24;H03F3/45
• 代理公司: 深圳市康弘知識產權代理有限公司44247
• 代理人: 尹彥,胡朝陽

技術領域

本發明涉及本專利涉及一種功率放大電路,具體涉及用于電力線載波通信系統的寬頻單片集成功率放大電路。

背景技術

電力載波通訊（英文Power line Communication），簡稱PLC。電力載波是電力系統特有的通信方式，電力載波通訊是指利用現有電力線，通過載波方式將信號進行高速傳輸的技術。最大特點是不需要重新架設網絡，只要有電線，就能進行數據傳遞。功率放大器是電力載波通訊中的重要器件，其基本功能是放大信號提供功率輸出，因此要求功率放大器在帶有一定的容性和阻性負載下也能輸出足夠的功率，同時要減小對自己工作頻帶以外的頻段造成的干擾。傳統的放大器一般采用電流負反饋，大多數用BJT工藝。具有SR不足、TIM瞬態互調失真較高、諧波失真等缺陷。因此設計一種帶負載能力強，擁有很低的TIM 瞬態互調失真、諧波失真小的電力載波功率放大電路是業內亟需解決的技術問題。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述缺陷，本發明提出一種用于電力線載波通信系統的寬頻單片集成功率放大電路。

本發明采用的技術方案是一種寬頻單片集成式功率放大電路,其包括依次串聯的輸入緩沖級、電壓放大級、線性跨導驅動級、輸出級，其中所述輸入緩沖級連接輸入電壓信號，進行高阻緩沖和偏置處理把輸入電壓信號轉換成電流信號；所述電壓放大級對輸入緩沖級發來的電流信號進行放大成為電壓信號；所述線性跨導驅動級采用AB類電流缺失型跨導驅動電路，對電壓放大級送來的電壓信號進行高線性驅動；所述輸出級受所述線性跨導驅動級驅動向負載輸出放大過后的功率信號。

所述輸入緩沖級包括第零、第一、第二、第三、第四、第六MOS管，第四十二、第三十九恒流源，其中第一、第三、第四MOS管采用P溝道MOS管，第零、第二、第六MOS管采用N溝道MOS管；所述第零和第一MOS管的柵極連接所述輸入電壓信號，所述第零MOS管的漏極接電源正極、其源極接第三MOS管的柵極和第三十九恒流源的一端，第三十九恒流源的另一端接地，第一MOS管的漏極接地、其源極接第二MOS管的柵極和第四十二恒流源的一端，第三十九恒流源的另一端接電源正極，所述第二MOS管的源極接第三MOS管的源極、其漏極接第四MOS管的漏極和柵極，第四MOS管的源極接電源正極，所述第三MOS管的漏極接第六MOS管的漏極和柵極，第六MOS管的源極接地；所述第四MOS管和第六MOS管的漏極向所述電壓放大級輸出所述電流信號。

所述電壓放大級包括第五和第七MOS管，其中第五MOS管采用P溝道MOS管、其柵極接所述第四MOS管的漏極、其源極接電源正極；第七MOS管采用N溝道MOS管、其柵極接所述第六MOS管的漏極、其源極接地；第五MOS管和第七MOS管的漏極相連發出所述電壓信號。

所述線性跨導驅動級包括第八至第十九MOS管、第二十二、第二十三MOS管，其中所述第八MOS管的柵極接所述第四MOS管的漏極、其源極接電源正極（vdd）、其漏極接第九MOS管的漏極，所述第十一MOS管的柵極接所述第六MOS管的漏極、其源極接地、其漏極接第十二MOS管的漏極，所述第十二MOS管的源極接電源正極，第十二MOS管的柵極接其自身的漏極、第十三和第十五MOS管的柵極，所述第九MOS管的源極接地，第九MOS管的柵極接其自身的漏極、第十和第十四MOS管的柵極，所述第十三MOS管的源極接電源正極，第十三MOS管的漏極接第十四和第十六MOS管的漏極、以及第十六和第十七MOS管的柵極，所述第十四MOS管、第十六MOS管和第十七MOS管的源極接地，所述第十MOS管的源極接地，第十三MOS管的漏極接第十五和第十八MOS管的漏極、以及第十八和第十九MOS管的柵極，所述第十五MOS管、第十八MOS管和第十九MOS管的源極接電源正極，第十九MOS管的漏極接第二十三MOS管的源極，第二十三MOS管的柵極接所述第五MOS管的漏極和第二十二MOS管的柵極，第二十三MOS管的漏極接地，第十七MOS管的漏極接第二十二MOS管的源極，第二十二MOS管漏極接電源正極，所述第二十三和第二十二MOS管的源極連接所述輸出級。