[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711381037.3
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN108321203B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藤井宏基;森隆弘
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體基板，其具有主表面，且在所述主表面具有隔離槽；

第一導(dǎo)電型的源極區(qū)域，其配置在所述半導(dǎo)體基板的所述主表面上；

第一導(dǎo)電型的漏極區(qū)域，其配置在所述主表面上，并且在所述第一導(dǎo)電型的漏極區(qū)域與所述源極區(qū)域之間夾著所述隔離槽；

第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)，其位于所述隔離槽的下側(cè)并且與所述漏極區(qū)域連接；

隔離絕緣膜，其填埋所述隔離槽的內(nèi)部，并且在所述隔離絕緣膜的上表面具有凹部；

門電極，其以與夾在所述源極區(qū)域和所述漂移區(qū)之間的所述主表面絕緣的方式與該主表面對置，并且所述門電極填埋所述凹部的內(nèi)部；

第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域，其具有位于所述漂移區(qū)的下側(cè)且位于所述凹部的正下方的部分，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域僅位于所述凹部的正下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

將從所述源極區(qū)域朝向所述漏極區(qū)域的方向上的所述隔離槽的長度設(shè)為Ld，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域位于所述隔離槽的所述源極區(qū)域側(cè)的端部到自所述隔離槽的所述源極區(qū)域側(cè)的端部位移所述長度Ld的1/3的距離的位置的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域的所述漏極區(qū)域側(cè)的端部位于比從所述凹部朝向所述漏極區(qū)域側(cè)位移相當(dāng)于從所述凹部的底部到所述隔離槽的底部為止的深度方向上的尺寸的距離的位置更靠所述源極區(qū)域側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還具備：

第二導(dǎo)電型的第一阱區(qū)，其位于所述漂移區(qū)的下側(cè)；

第二導(dǎo)電型的第二阱區(qū)，其位于所述源極區(qū)域與所述漂移區(qū)之間的主表面，

其中，所述第一阱區(qū)的雜質(zhì)濃度低于所述第二阱區(qū)的雜質(zhì)濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還具備：

第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，其位于所述漂移區(qū)內(nèi)且所述凹部的正下方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第二雜質(zhì)區(qū)域的濃度峰值低于所述第一雜質(zhì)區(qū)域的濃度峰值。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第二雜質(zhì)區(qū)域的所述漏極區(qū)域側(cè)的端部位于比從所述凹部朝向所述漏極區(qū)域側(cè)位移相當(dāng)于從所述凹部的底部到所述隔離槽的底部為止的深度方向上的尺寸的距離的位置更靠所述源極區(qū)域側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述凹部具有多個凹部分，

所述第二雜質(zhì)區(qū)域具有多個第二區(qū)域部分，所述多個第二區(qū)域部分分別位于各個凹部分的正下方區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述凹部具有多個凹部分，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域具有多個第一區(qū)域部分，所述多個第一區(qū)域部分分別位于各個凹部分的正下方區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述多個凹部分各自的寬度大于所述多個凹部分中彼此相鄰的凹部分之間的距離。

11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具備如下工序：

形成半導(dǎo)體基板的工序，所述半導(dǎo)體基板具有主表面、隔離槽，其位于所述主表面、第一導(dǎo)電型的源極區(qū)域，其位于所述主表面、第一導(dǎo)電型的漏極區(qū)域，其位于所述主表面且在所述漏極區(qū)域與所述源極區(qū)域之間夾著所述隔離槽、第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)，其位于所述隔離槽的下側(cè)且與所述漏極區(qū)域連接；

形成隔離絕緣膜的工序，所述隔離絕緣膜填埋所述隔離槽的內(nèi)部，并且在所述隔離絕緣膜的上表面具有凹部；

形成第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域的工序，所述第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域位于所述漂移區(qū)的下側(cè)且所述凹部的正下方；及

形成門電極的工序，所述門電極在夾在所述源極區(qū)域與所述漂移區(qū)之間的所述主表面之上夾著門極絕緣膜與該主表面對置，并且所述門電極填埋所述凹部的內(nèi)部，

形成在所述上表面具有所述凹部的所述隔離絕緣膜的工序具有如下工序：

形成填埋所述隔離槽的內(nèi)部的埋入絕緣膜的工序；

形成貫穿所述埋入絕緣膜的貫穿孔的工序；

形成覆蓋所述貫穿孔的內(nèi)壁的包覆絕緣膜的工序，

形成所述第一雜質(zhì)區(qū)域的工序具有如下工序：

經(jīng)過所述貫穿孔將所述第二導(dǎo)電型的雜質(zhì)導(dǎo)入到所述半導(dǎo)體基板的工序。