[發明專利]基座組件及處理室有效
| 申請號: | 201711376963.1 | 申請日: | 2014-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN107974668B | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發明(設計)人: | J·約德伏斯基;K·甘加基德加;K·格里芬 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 楊學春;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基座 組件 處理 | ||
1.一種基座組件,包括:
石英底座,所述石英底座具有多個環形氣體通道,所述環形氣體通道與多個孔流體連通,使得氣體能夠流過所述環形氣體通道并且穿過所述石英底座的頂部流出所述孔;
可轉動中心支座,所述可轉動中心支座包括多個輻條,所述多個輻條自中心軸延伸而形成裝有輻條的框架,所述多個輻條支撐所述石英底座;以及
多個扇形區段,所述多個扇形區段圍繞所述可轉動中心支座而徑向設置,其中每一個扇形區段的至少一部分接觸所述可轉動中心支座并且所述多個扇形區段中的每一個由所述石英底座支撐,
其中所述石英底座從所述中心軸的邊緣延伸到所述扇形區段的外周緣,并且流過所述氣體通道并流出所述孔的氣體是可調整的從而向所述多個扇形區段施加壓力并整平所述多個扇形區段。
2.如權利要求1所述的基座組件,其中所述扇形區段中的每一個通過至少兩個連接點連接至所述中心支座。
3.一種處理室,包括:
氣體分配組件;
如權利要求1所述的基座組件;
感測器,所述感測器被定位來測定所述氣體分配組件與所述基座組件之間的距離;
多個氣體軸承墊;以及
反饋電路,所述反饋電路連接所述感測器與多個氣體軸承墊,所述多個氣體軸承墊用以將所述基座組件的全部或一部分移動更靠近及進一步遠離所述氣體分配組件。
4.如權利要求3所述的處理室,其中所述基座組件的所述扇形區段中的每一個通過至少兩個連接點連接至所述中心支座。
5.如權利要求3所述的處理室,其中所述氣體軸承墊被定位在所述基座組件上方和下方以獨立地移動所述扇形區段中的每一個。
6.如權利要求3所述的處理室,其中所述氣體軸承墊被定位成以下中的一者或多者:定位在所述基座組件的外周緣處或朝向所述基座組件的所述中心軸并鄰近所述扇形區段的內緣而定位。
7.一種基座組件,包括:
可轉動中心支座,所述可轉動中心支座包括中心軸和石英底座,所述石英底座包括多個氣體通道,所述多個氣體通道與多個孔流體連通,所述多個氣體通道從所述石英底座的內周緣延伸到所述石英底座的外周緣;以及
多個石英扇形區段,所述多個石英扇形區段圍繞所述可轉動中心支座而徑向設置,其中每一個石英扇形區段的至少一部分接觸所述可轉動中心支座并且所述多個石英扇形區段中的每一個從所述中心軸到所述扇形區段的所述外周緣由所述石英底座支撐,
其中所述多個孔允許氣體流過所述氣體通道而離開所述氣體通道并且向所述扇形區段施加壓力并且整平所述多個扇形區段。
8.如權利要求7所述的基座組件,其中所述扇形區段中的每一個通過至少兩個連接點連接至所述中心支座。
9.一種處理室,包括:
氣體分配組件;
如權利要求7所述的基座組件;
感測器,所述感測器被定位來測定所述氣體分配組件與所述基座組件之間的距離;
多個氣體軸承墊;以及
反饋電路,所述反饋電路連接所述感測器與多個氣體軸承墊,所述多個氣體軸承墊用以將所述基座組件的全部或一部分移動更靠近及進一步遠離所述氣體分配組件。
10.如權利要求9所述的處理室,其中所述基座組件的所述扇形區段中的每一個通過至少兩個連接點連接至所述中心支座。
11.如權利要求9所述的處理室,其中所述氣體軸承墊被定位在所述基座組件上方和下方以獨立地移動所述扇形區段中的每一個。
12.如權利要求9所述的處理室,其中所述氣體軸承墊被定位成以下中的一者或多者:定位在所述基座組件的外周緣處或朝向所述基座組件的所述中心軸并鄰近所述扇形區段的內緣而定位。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





