[發明專利]一種新型有機半導體激光功率器的設計方法

在審

• 申請號: 201711359530.5
• 申請日: 2017-12-17
• 公開（公告）號: CN109935689A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 廖清;高慶剛;付紅兵
• 申請（專利權）人: 首都師范大學
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型有機半導體激光功率器的設計方法，包括如下步驟：

在真空條件下，有機半導體材料納米線是通過物理氣相沉積的辦法在二氧化硅基底上制備的，所用有機半導體材料為TPSB分子，在納米線兩端蒸鍍純金電極，將前述步驟制備好的器件接入信號處理設備，從而組成新型有機半導體激光功率器。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述真空為絕對真空環境，壓強在0.1-10帕斯卡之間。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述有機半導體材料納米線是在真空管式爐中通過物理氣相沉積方法制備的。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述二氧化硅基底為絕緣高透光基底材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述有機半導體材料用的分子為自己合成分子。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：在納米線兩端蒸鍍的純金電極的厚度在100nm以上，保證信號穩定性。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述純金電極的金純度為99.999％。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述信號處理設備具有檢測弱電流的能力。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述信號處理設備中編譯有算法，算法的參數是通過實驗校準后得到的。

10.根據權利要求1-9中任一所述的方法，其特征在于：在所述新型有機半導體激光功率器上加有濾光片。