[發明專利]反型QLED器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201711354864.3
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN109935721A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 曹蔚然;梁柱榮;楊一行;向超宇;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 黃志云

本發明提供了一種反型QLED器件的制備方法，包括以下步驟：提供氣態的置換配體和沉積有量子點預制薄膜的陰極，其中，所述量子點預制薄膜中的量子點表面結合有初始配體，所述置換配體為至少含有兩個活性官能團的有機配體；提供襯底，在所述襯底上制備陰極；將所述量子點預制薄膜置于可密閉裝置中，通入氣態的置換配體，進行氣相配體置換，得到量子點表面結合所述置換配體的量子點薄膜；在所述量子點發光層上制備空穴功能層；在所述空穴功能層上制備陽極。

技術領域

本發明屬于發光二極管技術領域，尤其涉及一種反型QLED器件及其制備方法。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，是一種新型的發光器件，其采用量子點材料(Quantum dots,QDs)作為發光層，相比其他發光材料具有難以比擬的優勢，如可控的小尺寸效應、超高的內量子效率、優異的色純度等，在未來顯示技術領域具有巨大的應用前景。

一般情況下，量子點表面會通過螯合等方式連接有機配體或者通過形成化學鍵等方式連接無機配體。量子點的表面配體在量子點合成中起到至關重要的作用，一方面，表面配體能鈍化量子點表面的缺陷，提高量子點的發光性能；另一方面，表面配體能夠減少量子點之間團聚，并增加量子點在溶劑中的分散能力。在量子點發光二極管器件中，表面配體會進一步影響器件的光電學性能，因此合理選擇量子點膜中的量子點表面的配體是提高量子點薄膜及量子點發光二極管發光效率的重要步驟。

對于目前主流的反型QLED器件(正負極位置對換，在襯底上依次是陰極、電子傳輸材料、量子點發光層、空穴傳輸材料、空穴注入材料和陽極)，由于在量子點發光層上面通過溶液法制備空穴傳輸層和空穴注入層時，所用溶劑可能重新溶解帶走或直接沖走量子點發光層中的量子點，破壞量子點層，從而影響量子點發光層的成膜均勻性和界面性能，進而影響反型QLED器件發光均勻性，特別是對于印刷技術制備的量子點發光層。即便采用難溶解量子點的溶劑，也難以避免該過程的發生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種反型QLED器件及其制備方法，旨在解決現有的反型QLED器件的制備過程中，空穴傳輸層和空穴注入層的溶劑破壞量子點層，從而影響量子點發光層的成膜均勻性和界面性能的問題。

本發明是這樣實現的，一種反型QLED器件的制備方法，包括以下步驟：

提供氣態的置換配體和沉積有量子點預制薄膜的陰極，其中，所述量子點預制薄膜中的量子點表面結合有初始配體，所述置換配體為至少含有兩個活性官能團的有機配體；

將所述量子點預制薄膜置于可密閉裝置中，通入氣態的置換配體，進行氣相配體置換，得到量子點表面結合所述置換配體的量子點薄膜；

在所述量子點發光層上制備空穴功能層；

在所述空穴功能層上制備陽極。

以及，一種反型QLED器件，包括層疊結合的陰極、量子點發光層、空穴功能層和陽極，其中，所述量子點發光層由交聯量子點組成，所述交聯量子點包括量子點和與所述量子點交聯的置換配體，其中，所述置換配體至少含有兩個活性官能團，所述置換配體和所述量子點通過所述活性官能團交聯，且所述反型QLED器件由上述方法制備獲得。

以及，一種顯示屏，包括上述的反型QLED器件。