[發(fā)明專利]反型QLED器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711353407.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109935715B | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹蔚然;楊一行;向超宇;錢磊;梁柱榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | qled 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種反型QLED器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供陰極和置換配體溶液;
在所述陰極上沉積量子點(diǎn)預(yù)制薄膜,所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜由表面含有初始配體的量子點(diǎn)制成,將所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜與所述置換配體溶液中的置換配體進(jìn)行原位配體交換,將所述初始配體置換為置換配體,得到量子點(diǎn)發(fā)光層;
通過溶液加工法在所述量子點(diǎn)發(fā)光層表面制備空穴功能層;
在所述空穴功能層上制備陽極,
其中,所述置換配體選自辛胺、丙胺、十六胺、4-巰基苯甲醚、1-羥基-3-甲氧基-丙烷、巰基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、巰基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羥基苯甲酸、對(duì)磺基苯甲酸、對(duì)硝基苯甲酸、4-巰基苯胺、4-羥基苯胺、4-氰基苯胺、4-巰基苯乙烯酸、4-羥基苯乙烯酸、2-(4-羥基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、3-氨基-5-巰基-1,2,4-三氮唑中的至少一種,
當(dāng)所述置換配體選自辛胺、丙胺、十六胺、4-巰基苯甲醚、1-羥基-3-甲氧基-丙烷中的至少一種時(shí),制備所述空穴功能層的空穴功能材料溶液的溶劑選自甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、戊醇、異戊醇、叔戊醇、環(huán)己醇、辛醇、芐醇、乙二醇、苯酚、鄰甲酚、乙醚、苯甲醚、苯乙醚、二苯醚、乙二醇二甲醚、丙二醇甲醚、乙二醇二乙醚、羥乙基乙醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、乙醛、苯甲醛、丙酮、丁酮、環(huán)己酮、苯乙酮、甲酸、乙酸、乙酸乙酯、草酸二乙酯、丙二酸二乙酯、乙酸丙酯、甲基丙酯、乙酸丁酯、乙酸甲基戊酯、硝基苯、乙腈、二乙胺、三乙胺、苯胺、吡啶、甲基吡啶、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酰胺、二硫化碳、甲硫醚、乙硫醚、二甲亞砜、硫醇、乙硫醇、甲氧基四氫呋喃中的至少一種,并且
當(dāng)所述置換配體選自巰基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、巰基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸中的至少一種時(shí),制備所述空穴功能層的空穴功能材料溶液選自己烷、環(huán)己烷、庚烷、正辛烷、異辛烷、異戊烷、戊烷、甲基戊烷、乙基戊烷、環(huán)戊烷、甲基環(huán)戊烷、乙基環(huán)戊烷、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二硫化碳、四氯化碳、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、二溴甲烷、溴丙烷、碘甲烷、二苯醚、三氯乙烯、正丁醚、二硫醚、異丙醚、碳酸二甲酯、三辛胺、甲乙酮、三丁胺、四氫呋喃、氯苯中的一種或多種。
2.如權(quán)利要求1所述的反型QLED器件的制備方法,其特征在于,將所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜與所述置換配體溶液中的置換配體進(jìn)行原位配體交換的方法為:將所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜浸泡在所述置換配體溶液中進(jìn)行原位配體交換。
3.一種反型QLED器件,包括層疊結(jié)合的陰極、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴功能層和陽極,其特征在于,其中,所述反型QLED器件由權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述方法制備獲得。
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