[發明專利]具有可變寬度金屬線及完全自對準連續性切口的互連胞元

有效

• 申請號: 201711352642.8
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108231668B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 尼古拉斯·文森特·里考西;古拉密·波奇;拉爾斯·渥夫岡·賴柏曼
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種制造半導體裝置的方法，該方法包含：

將第一心軸胞元圖型化到半導體結構的介電層上面所布置的第一心軸層內，該第一心軸胞元具有至少一個第一心軸、至少一個第一心軸間隔及心軸胞元間距；

將第二心軸胞元圖型化到該第一心軸層上面所布置的第二心軸層內，該第二心軸胞元具有至少一個第二心軸、至少一個第二心軸間隔、及實質相同的心軸胞元間距；以及

利用該第一與第二心軸胞元將金屬線胞元形成到該介電層內，該金屬線胞元具有金屬線、介于諸金屬線之間的間隔及線件胞元間距；

其中，當該金屬線胞元的該金屬線為偶數時，該線件胞元間距實質等于該心軸胞元間距，以及

其中，當該金屬線胞元的該金屬線為奇數時，該線件胞元間距實質等于該心軸胞元間距的一半。

2.如權利要求1所述的方法，其中：

當該金屬線胞元的該金屬線為奇數時，該線件胞元內金屬線的數目等于該第一心軸胞元內第一心軸的數目與該第二心軸胞元內第二心軸的數目的總和；以及

當該金屬線胞元的該金屬線為偶數時，該線件胞元內金屬線的數目等于該第一心軸胞元內第一心軸的數目與該第二心軸胞元內第二心軸的數目的總和的兩倍。

3.如權利要求1所述的方法，包含：

將多個實質等同的第一心軸胞元圖型化到該第一心軸層內；

將多個實質等同的第二心軸胞元圖型化到該第二心軸層內；以及

利用該第一與第二心軸胞元將多個實質等同的金屬線胞元形成到該介電層內。

4.如權利要求3所述的方法，包含相對于該第一心軸胞元安置該第二心軸胞元，使得該第二心軸完全套迭該第一心軸間隔。

5.如權利要求4所述的方法，包含：

在該第一心軸的側壁上形成第一心軸間隔物；

在該第二心軸的側壁上形成第二心軸間隔物；

利用該第一與第二心軸形成該金屬線；以及

利用該第一與第二心軸間隔物在諸金屬線之間形成該間隔。

6.如權利要求5所述的方法，包含：

將相鄰實質等同的第一與第二金屬線胞元從該第一與第二心軸胞元形成到該介電層內，該第一心軸胞元每胞元包括三個第一心軸，并且該第二心軸胞元每胞元包括兩個第二心軸，其中：

該第一金屬線胞元分別包括通過第一、第二、第三、第四及第五線件間隔所分開的連續A、B、C、D及E線件，該A、B、C及D線件為信號線，并且該E線件為具有E線寬的電力線，該E線寬大于該A、B、C及D線件的任何寬度，以及

該第二金屬線胞元分別包括通過第六、第七、第八、第九及第十線件間隔所分開的連續F、J、K、L及M線件，該F、J、K及L線件為信號線，并且該M線件為具有M線寬的電力線，該M線寬大于該F、J、K及L線件的任何寬度，

將該第一心軸間隔物蝕刻到該介電層內以形成第一、第四、第五、第六、第七及第十線件間隔；以及

將該第二心軸間隔物蝕刻到該介電層內以形成第二、第三、第八及第九線件間隔。

7.如權利要求6所述的方法，其中，該第一與第二金屬線胞元具有實質等于6軌距胞元間距的線件胞元間距。

8.一種制造半導體裝置的方法，該方法包含：

將第一心軸胞元圖型化到半導體結構的介電層上面所布置的第一心軸層內，該第一心軸胞元具有至少一個第一心軸、至少一個第一心軸間隔及第一心軸胞元間距；

將第二心軸胞元圖型化到該第一心軸層上面所布置的第二心軸層內，該第二心軸胞元具有至少一個第二心軸、至少一個第二心軸間隔、及第二心軸胞元間距；

利用該第一與第二心軸胞元將金屬線胞元形成到該介電層內，該金屬線胞元具有金屬線、金屬線間隔及線件胞元間距；

其中，當該金屬線胞元的該金屬線為奇數時，該線件胞元內金屬線的數目等于該第一心軸胞元內第一心軸的數目與該第二心軸胞元內第二心軸的數目的總和；以及

當該金屬線胞元的該金屬線為偶數時，該線件胞元內金屬線的數目等于該第一心軸胞元內第一心軸的數目與該第二心軸胞元內第二心軸的數目的總和的兩倍。