[發明專利]一種高純氮氧化硅的制備方法在審
| 申請號： | 201711352598.0 | 申請日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN107986795A | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發明（設計）人： | 杜寧;季勇升;楊德仁;張亞光;杜英;陸介平 | 申請（專利權）人： | 江蘇潤弛太陽能材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/597 | 分類號： | C04B35/597;C04B35/626 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責任公司32218 | 代理人： | 徐冬濤,李曉峰 |
| 地址： | 212218 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高純 氧化 制備 方法 | ||
1.一種高純氮氧化硅的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將硅粉進行加濕處理；
(2)在氮氧氣氛下，將步驟(1)得到的硅粉原料進行兩步高溫煅燒，待反應完全后得到氮氧化硅；所述兩步高溫煅燒的過程為：第一步1000-1300℃，5-15h，第二步1300-1500℃，10-30h。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)中加濕處理后的硅粉中水分含量為0.2-10％。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，加濕處理后的硅粉中水分含量為0.5-5％。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，加濕處理后的硅粉中水分含量為1-3％。
5.根據權利要求1～4中任一所述的方法，其特征在于，所述加濕處理用的水為電導率≥0.5mΩ·cm的水，優選為去離子水。
6.根據權利要求1～4中任一所述的方法，其特征在于，所述硅粉的純度≥99.99％，其粒徑分布的D90為0.2～10μm；優選的，所述粒徑分布的D90為1-5μm。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)中所述兩步高溫煅燒的過程為：第一步1250-1300℃，10-15h，第二步1400-1450℃，20-30h。
8.根據權利要求1或7所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述兩步高溫煅燒過程中的壓力為1～10個大氣壓，氮氣和氧氣的體積比為1:0.01～0.1。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述的壓力為1-5個大氣壓，氮氣和氧氣的體積比為1:0.01-0.05。
10.采用權利要求1～9中任一所述的方法制備的高純氮氧化硅。
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