[發(fā)明專利]OLED觸控面板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711348524.X
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108110036A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬偉欣
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;G06F3/041
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 闞梓瑄;王衛(wèi)忠

1.一種OLED觸控面板，其特征在于，包括：

陣列基板結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于所述陣列基板結(jié)構(gòu)頂部的陰極層，所述陰極層包括多個(gè)相互間隔設(shè)置的第一陰極結(jié)構(gòu)；

絕緣層，設(shè)置于所述陰極層上；

金屬層，設(shè)置于所述絕緣層的遠(yuǎn)離所述陰極層的側(cè)面上，所述金屬層包括多個(gè)相互間隔設(shè)置的第一金屬結(jié)構(gòu)，所述第一陰極結(jié)構(gòu)在所述陣列基板結(jié)構(gòu)上的投影與所述第一金屬結(jié)構(gòu)在所述陣列基板結(jié)構(gòu)上的投影至少部分重合。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED觸控面板，其特征在于，所述陰極層包括多個(gè)相互間隔設(shè)置的第一條狀結(jié)構(gòu)，該第一條狀結(jié)構(gòu)具有第一延伸方向，所述第一陰極結(jié)構(gòu)布置于所述第一條狀結(jié)構(gòu)上；以及/或者

所述金屬層包括多個(gè)相互間隔設(shè)置的第二條狀結(jié)構(gòu)，該第二條狀結(jié)構(gòu)具有第二延伸方向，所述第一延伸方向與所述第二延伸方向呈角度設(shè)置，所述第一金屬結(jié)構(gòu)布置于所述第二條狀結(jié)構(gòu)上。

3.如權(quán)利要求2所述的OLED觸控面板，其特征在于，

所述第一陰極結(jié)構(gòu)為條狀結(jié)構(gòu)，沿所述第一延伸方向，所述第一陰極結(jié)構(gòu)的尺寸等于所述第一條狀結(jié)構(gòu)的尺寸；以及/或者

所述第一金屬結(jié)構(gòu)為條狀結(jié)構(gòu)，沿所述第二延伸方向，所述第一金屬結(jié)構(gòu)的尺寸等于所述第二條狀結(jié)構(gòu)的尺寸。

4.如權(quán)利要求2所述的OLED觸控面板，其特征在于，所述第一陰極結(jié)構(gòu)為塊狀結(jié)構(gòu)，沿所述第一延伸方向，所述第一陰極結(jié)構(gòu)的尺寸小于所述第一條狀結(jié)構(gòu)的尺寸，所述第一條狀結(jié)構(gòu)上設(shè)置有多個(gè)所述第一陰極結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述第一陰極結(jié)構(gòu)沿所述第一延伸方向依次設(shè)置；以及/或者

所述第一金屬結(jié)構(gòu)為塊狀結(jié)構(gòu)，沿所述第二延伸方向，所述第一金屬結(jié)構(gòu)的尺寸小于所述第一條狀結(jié)構(gòu)的尺寸，所述第二條狀結(jié)構(gòu)上設(shè)置有多個(gè)所述第一金屬結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述第一金屬結(jié)構(gòu)沿所述第二延伸方向依次設(shè)置。

5.如權(quán)利要求2所述的OLED觸控面板，其特征在于，所述第一條狀結(jié)構(gòu)的第一延伸方向垂直于所述第二條狀結(jié)構(gòu)的第二延伸方向。

6.如權(quán)利要求1所述的OLED觸控面板，其特征在于，所述陰極層由鎂銀合金構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的OLED觸控面板，其特征在于，所述OLED觸控面板還包括集成電路，所述第一陰極結(jié)構(gòu)以及所述第一金屬結(jié)構(gòu)分別電連接于集成電路。

8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的OLED觸控面板，其特征在于，所述第一金屬結(jié)構(gòu)包括相互間隔設(shè)置的兩層鈦膜層以及位于所述鈦膜層之間的鋁膜層，所述鈦膜層和所述鋁膜層所在的平面分別平行于所述陰極層所在的平面。

9.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的OLED觸控面板，其特征在于，所述金屬層采用物理氣相沉積工藝和光刻工藝制成。

10.一種OLED觸控面板制造方法，其特征在于，所述OLED觸控面板制造方法包括以下步驟：

在陣列基板結(jié)構(gòu)上形成第一陰極結(jié)構(gòu)；

在所述第一陰極結(jié)構(gòu)上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成金屬層。