[發(fā)明專利]圖像傳感器及包括其的電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711346652.0 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108242449A | 公開(公告)日: | 2018-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李志源;趙鼎鎮(zhèn);林茂燮;徐圣永;李海源 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 共用像素 圖像傳感器 電子裝置 像素區(qū)域 光電二極管 浮置擴(kuò)散 晶體管組 相鄰布置 源極區(qū)域 晶體管 | ||
本公開涉及圖像傳感器及包括其的電子裝置。一種圖像傳感器包括:包含共用像素的像素區(qū)域,其中共用像素的每個包括組成組并共用浮置擴(kuò)散(FD)區(qū)域的至少兩個光電二極管;以及與像素區(qū)域相鄰的晶體管(TR)區(qū)域,其中TR區(qū)域包括對應(yīng)于共用像素的晶體管組,其中,當(dāng)?shù)谝还灿孟袼睾偷诙灿孟袼卦诘谝环较蛏媳舜讼噜彶贾脮r,對應(yīng)于第一共用像素的第一TR組和對應(yīng)于第二共用像素的第二TR組共用第一選擇TR的源極區(qū)域。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思涉及圖像傳感器,更具體地,涉及具有共用像素結(jié)構(gòu)的圖像傳感器及包括該圖像傳感器的電子裝置。
背景技術(shù)
圖像傳感器檢測并傳遞構(gòu)成圖像的信息。圖像傳感器包括布置成二維陣列的多個單元像素。例如,所述多個單元像素中的每個包括一個光電二極管和多個像素晶體管。所述多個像素晶體管可以包括傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、源極跟隨器晶體管和選擇晶體管。隨著像素尺寸減小,在圖像傳感器中已經(jīng)采用了共用像素結(jié)構(gòu)以增加光電二極管的面積。在共用像素結(jié)構(gòu)中,像素晶體管由多個像素共用。例如,若干像素共用像素晶體管,因此,每單元像素的像素晶體管的數(shù)量減少并且光電二極管的面積增加。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施方式,提供一種圖像傳感器,其包括:包括共用像素的像素區(qū)域,其中共用像素的每個包括形成組并共用浮置擴(kuò)散(FD)區(qū)域的至少兩個光電二極管;以及與像素區(qū)域相鄰的晶體管(TR)區(qū)域,其中TR區(qū)域包括對應(yīng)于共用像素的晶體管組,其中,當(dāng)?shù)谝还灿孟袼睾偷诙灿孟袼卦诘谝环较蛏媳舜讼噜彶贾脮r,對應(yīng)于第一共用像素的第一TR組和對應(yīng)于第二共用像素的第二TR組共用第一選擇TR的源極區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施方式,提供一種圖像傳感器,其包括:第一共用像素,其包括共用第一浮置擴(kuò)散(FD)區(qū)域的四個光電二極管;第二共用像素,其在第一方向上與第一共用像素相鄰設(shè)置并且包括共用第二FD區(qū)域的四個光電二極管;第一晶體管(TR)組,其與第一共用像素相鄰設(shè)置并且包括沿第一方向順序布置的第一復(fù)位TR、第一源極跟隨器TR和第一選擇TR;以及第二TR組,其與第二共用像素相鄰設(shè)置并且包括沿第一方向順序布置的第二選擇TR、第二源極跟隨器TR和第二復(fù)位TR,其中第一選擇TR和第二選擇TR共用源極區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施方式,提供一種圖像傳感器,其包括:第一共用像素,其包括共用浮置擴(kuò)散(FD)區(qū)域的八個光電二極管,該八個光電二極管形成四個光電二極管對,所述光電二極管對中的每個包括沿第一方向排列的兩個相鄰光電二極管;以及第一晶體管(TR)組,其與第一共用像素相鄰設(shè)置并且包括沿交叉第一方向的第二方向順序布置的頂選擇TR、頂源極跟隨器TR、頂復(fù)位TR、底復(fù)位TR、底源極跟隨器TR和底選擇TR,其中第一TR組關(guān)于由頂復(fù)位TR和底復(fù)位TR共用的等效FD區(qū)域具有鏡像對稱結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施方式,提供一種圖像傳感器,其包括:像素單元,其包括像素區(qū)域和晶體管(TR)區(qū)域,像素區(qū)域包括布置成二維陣列的共用像素,所述共用像素每個包括形成組并共用浮置擴(kuò)散(FD)區(qū)域的至少兩個光電二極管,TR區(qū)域包括與共用像素相鄰且對應(yīng)于共用像素的晶體管組;以及設(shè)置在像素單元周圍的外圍電路,其中,當(dāng)?shù)谝还灿孟袼睾偷诙灿孟袼匮氐谝环较虮舜讼噜徳O(shè)置時,第一TR組對應(yīng)于第一共用像素,并且第二TR組對應(yīng)于第二共用像素,以及第一TR組的選擇TR和第二TR組的選擇TR共用源極區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實(shí)施方式,提供一種電子裝置,其包括:光學(xué)系統(tǒng);圖像傳感器;以及信號處理器電路,其中圖像傳感器包括包含像素區(qū)域和晶體管(TR)區(qū)域的像素單元,以及設(shè)置在像素單元周圍的外圍電路,包括形成組并共用浮置擴(kuò)散(FD)區(qū)域的至少兩個光電二極管的共用像素按照二維陣列布置在像素區(qū)域中,并且對應(yīng)于共用像素的每個的TR組被設(shè)置在TR區(qū)域中,并且兩個相鄰TR組的選擇TR共用源極區(qū)域。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





